G5S12005C
У поставщика
У поставщиков
7 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:7 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 157,61 |
| от 26 | 148,65 |
| от 44 | 143,70 |
| от 73 | 139,74 |
| от 121 | 136,42 |
Описание
G5S12005C — силовой диод Шоттки на основе карбида кремния (SiC) производства GPT. Компонент предназначен для высокочастотных и высокотемпературных применений, обеспечивая минимальные потери при переключении и высокую эффективность. Используется в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и системах электропитания для повышения надёжности и энергосбережения.
Технические характеристики
| Тип | SiC диод Шоттки |
| Ток, А | 5 А |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение, В | 1200 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?