Документация
Диод Шоттки SIC 1200В 5А G5S12005A
У поставщика
У поставщиков
70 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:70 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 146,53 |
| от 15 | 136,88 |
| от 30 | 129,01 |
| от 50 | 123,14 |
| от 150 | 118,77 |
Описание
Диод Шоттки SIC от GPT на 1200 В и 5 А в корпусе TO-220AC. Обеспечивает высокое напряжение пробоя и низкие потери при переключении. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AC |
| Тип монтажа | Выводной |
| Значение I²t | 21A^2s |
| Технология | SiC Gen5 |
| Тип устройства | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Артикул | G5S12005A |
| Применение | SMPS, PFC, solar application, UPS, EV/HEV, motor drives, wind turbine, rail traction |
| Кол-во выводов | 2 |
| Packaging mode | 50pcs/Tube |
| Прямое напряжение | typ 1.38V @ I_F=5A, T_J=25°C; max 1.7V; typ 1.88V @ I_F=5A, T_J=175°C; max 2.5V |
| Момент затяжки | 1Nm |
| Обратный ток | typ 2.5uA @ V_R=1200V, T_J=25°C; max 50uA; typ 13uA @ V_R=1200V, T_J=175°C; max 100uA |
| Рассеиваемая мощность | 99W @ T_C=25°C; 43W @ T_C=110°C |
| Общая емкость | 413pF @ V_R=0V, f=1MHz; 28pF @ V_R=400V; 22pF @ V_R=800V |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 5A |
| Total capacitive charge | 28nC @ V_R=800V, T_J=25°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Forward recovery voltage | 0V |
| Reverse recovery current | 0A |
| Capacitance stored energy | 14uJ @ V_R=800V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Непрерывный прямой ток | 19.1A @ T_C=25°C; 9.2A @ T_C=135°C; 5A @ T_C=161°C |
| Surge peak reverse voltage | 1200V |
| Описание (англ.) | SiC Schottky diode, 1200 V, 5 A, TO-220AC package |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.52°C/W |
| Non repetitive forward surge current | 65A @ T_C=25°C, tp=10ms half sine |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Repetitive peak forward surge current | 25A @ T_C=25°C, tp=10ms half sine |
| Обратное напряжение, В | 1200 |
| Прямой ток, А | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?