Документация
Диод Шоттки SIC 1200В 2А G5S12002C
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
918 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:918 шт
Срок поставки: до недели
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,46 |
| от 44 | 42,63 |
| от 88 | 39,50 |
| от 175 | 37,13 |
| от 349 | 35,37 |
Описание
Диод Шоттки SIC от GPT на напряжение 1200 В и ток 2 А. Выполнен в компактном корпусе DPAK/TO-252AA для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | G5S12002C |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Значение I²t | 4.5A2s |
| Описание | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Артикул | G5S12002C |
| Packaging mode | 2500/Reel |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 2A |
| Total capacitance vr 0v | 177pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power dissipation tc 25c | 48W |
| Power dissipation tc 110c | 21W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Total capacitance vr 400v | 12pF |
| Total capacitance vr 800v | 10pF |
| Surge peak reverse voltage | 1200V |
| Total capacitive charge qc | 12nC |
| Описание (англ.) | SiC Schottky diode, 1200 V, 2 A, TO-252 (DPak) |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.1°C/W |
| Continuous forward current tc 25c | 9A |
| Continuous forward current tc 135c | 4.3A |
| Continuous forward current tc 164c | 2A |
| Forward voltage vf if 2a tj 25c max | 1.7V |
| Forward voltage vf if 2a tj 25c typ | 1.36V |
| Capacitance stored energy ec vr 800v | 6µJ |
| Forward voltage vf if 2a tj 175c max | 2.5V |
| Forward voltage vf if 2a tj 175c typ | 1.78V |
| Non repetitive forward surge current | 30A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Repetitive peak forward surge current | 10A |
| Reverse current ir vr 1200v tj 25c max | 50µA |
| Reverse current ir vr 1200v tj 25c typ | 1.2µA |
| Reverse current ir vr 1200v tj 175c max | 100µA |
| Reverse current ir vr 1200v tj 175c typ | 7.6µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?