G4S06510DT
У поставщика
У поставщиков
66 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:66 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 91,18 |
Описание
G4S06510DT от GPT — это высоковольтный SiC (карбид-кремниевый) диод Шоттки. Компонент предназначен для применения в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и корректорах коэффициента мощности. Отличается низким прямым падением напряжения и высокой скоростью переключения, что способствует повышению эффективности и снижению тепловыделения в устройствах.
Технические характеристики
| Тип | SiC диод Шоттки |
| Ток, А | 10 А |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение, В | 650 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?