Документация
G4S06510AT
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
230 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:230 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 138,54 |
| от 10 | 136,41 |
| от 20 | 133,66 |
| от 50 | 129,86 |
| от 100 | 124,81 |
Описание
Силовой транзистор G4S06510AT от GPT — это SiC MOSFET, работающий при напряжении до 650 В. Компонент рассчитан на ток 10 А и отличается низким сопротивлением в открытом состоянии. Применяется в импульсных блоках питания, преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AC |
| Тип монтажа | Through-hole (THT) |
| Значение I²t | 32 A^2s at Tc=25°C, tp=10ms half sine |
| Тип диода | SiC Schottky diode |
| Lead count | 3 |
| Описание | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Артикул | G4S06510AT |
| Ном. ток | 10A |
| Прямое напряжение | 1.37V typ / 1.7V max at If=10A, Tj=25°C; 1.74V typ / 2.5V max at If=10A, Tj=175°C |
| Момент затяжки | 1 Nm (M3 screw) |
| Обратный ток | 0.2μA typ / 50μA max at Vr=650V, Tj=25°C; 2μA typ / 100μA max at Vr=650V, Tj=175°C |
| Рассеиваемая мощность | 125W at Tc=25°C; 54W at Tc=110°C |
| Общая емкость | 536pF typ at Vr=0V; 55pF typ at Vr=200V; 53pF typ at Vr=400V, f=1MHz |
| Switching behavior | temperature independent |
| Напряжение блокировки DC | 650V |
| Total capacitive charge | 28nC typ at Vr=400V, Tj=25°C |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Forward recovery voltage | 0 |
| Reverse recovery current | 0 |
| Capacitance stored energy | 6.8μJ typ at Vr=400V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Непрерывный прямой ток | 32.7A at Tc=25°C; 15.2A at Tc=135°C; 10A at Tc=154.5°C |
| Surge peak reverse voltage | 650V |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 650V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.2°C/W |
| Non repetitive forward surge current | 80A at Tc=25°C, tp=10ms half sine |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Repetitive peak forward surge current | 40A at Tc=25°C, tp=10ms half sine |
Заметили ошибку в описании или параметрах?