Документация
Диод Шоттки 1200В 5A G3S12005H
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
474 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:474 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 158,78 |
| от 5 | 156,14 |
| от 10 | 152,59 |
| от 19 | 147,25 |
| от 37 | 139,07 |
Описание
Диод Шоттки G3S12005H от GPT — это мощный карбид-кремниевый выпрямитель на 1200 В и 5 А. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AC, обеспечивает высокую эффективность и низкие потери при переключении. Подходит для импульсных блоков питания, силовой электроники и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | SiC Schottky |
| Описание | 1200V/5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Артикул | G3S12005H |
| Применение | SMPS, CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS, wind turbine, rail traction, EV/HEV |
| Корпус | TO-220AC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ном. напряжение | 1200V |
| Прямое напряжение | 1.46V typ / 1.7V max @ IF=5A, Tj=25°C; 1.95V typ / 2.5V max @ IF=5A, Tj=175°C |
| Момент затяжки | 1Nm (M3 screw); 8.8 lbf-in (6-32 screw) |
| Package marking | G3S12005H |
| Обратный ток | 0.15µA typ / 50µA max @ VR=1200V, Tj=25°C; 0.35µA typ / 100µA max @ VR=1200V, Tj=175°C |
| Рассеиваемая мощность | 50W @ TC=25°C; 22W @ TC=110°C |
| Общая емкость | 475pF typ / 510pF max @ VR=0V, Tj=25°C, f=1MHz; 34pF typ / 44pF max @ VR=400V; 33pF typ / 40pF max @ VR=800V |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 5A |
| Total capacitive charge | 36nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Непрерывный прямой ток | 12.5A @ TC=25°C; 6.7A @ TC=125°C; 5A @ TC=145°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Surge peak reverse voltage | 1200V |
| Описание (англ.) | 1200V/5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Zero forward recovery voltage | 0 |
| Zero reverse recovery current | 0 |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.99°C/W |
| Repetitive peak forward surge current | 30A @ TC=25°C, tp=10ms, half sine, D=0.3 |
| Неповтор. импульсный ток | 100A @ TC=25°C, tp=10ms, half sine |
Заметили ошибку в описании или параметрах?