Документация
Диод Шоттки SiC 650В 10А(Tc=154°C)
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
176 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:176 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 148,61 |
| от 5 | 146,10 |
| от 10 | 142,74 |
| от 20 | 137,66 |
| от 60 | 129,90 |
Описание
Диод Шоттки SiC от GPT на напряжение 650 В и ток 10 А. Выполнен в корпусе TO-247AC, отличается высокой эффективностью и низкими потерями. Применяется в импульсных источниках питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 117W |
| Ток, А | 10A |
| Корпус | TO-247AC |
| Напряжение, В | 650V |
| Тип монтажа | THT |
| Тип диода | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Артикул | G3S06510P |
| Применение | SMPS, CCM PFC; motor drives, solar, UPS, wind turbine, rail traction, EV/HEV |
| Корпус | TO-247AC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Switching behavior | temperature independent |
| Напряжение блокировки DC | 650V |
| Frequency operation | high frequency |
| Forward voltage tc25 | 1.43V typ, 1.7V max |
| Reverse current tc25 | 0.5µA typ, 50µA max |
| Примечание | Шоттки SiC 650В 10А |
| Forward voltage tc175 | 1.64V typ, 2V max |
| Reverse current tc175 | 1.4µA typ, 100µA max |
| Total capacitance vr0 | 690pF typ, 730pF max |
| Power dissipation tc25 | 117W |
| Power dissipation tc110 | 51W |
| Total capacitance vr200 | 72pF typ, 75pF max |
| Total capacitance vr400 | 71pF typ, 74pF max |
| Total capacitive charge | 36nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Forward recovery voltage | 0 |
| Mounting torque m3 screw | 1Nm |
| Reverse recovery current | 0 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Mounting torque 6 32 screw | 8.8lbf-in |
| Surge peak reverse voltage | 650V |
| Описание (англ.) | 650V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Continuous forward current tc25 | 32.8A |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 650V |
| Continuous forward current tc125 | 17.4A |
| Continuous forward current tc154 | 10A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.28°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Repetitive peak forward surge current | 50A |
| Неповтор. импульсный ток | 120A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?