Документация
Диод Шоттки SiC 650В 6А (Tc=157°C)
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
453 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:453 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 95,14 |
| от 24 | 88,27 |
| от 50 | 82,69 |
| от 100 | 78,50 |
| от 200 | 75,38 |
Описание
Диод Шоттки SiC G3S06506A от GPT работает на напряжении до 650 В и токе 6 А. Выполнен в корпусе TO-220AC с низким прямым падением напряжения 1,7 В. Применяется в импульсных блоках питания и силовых преобразователях промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Ток, А | 6A |
| Корпус | TO-220AC |
| Напряжение, В | 650V |
| Тип монтажа | THT |
| Тип диода | silicon_carbide_schottky_barrier_diode |
| Описание | 650V/6A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Артикул | G3S06506A |
| Корпус | TO-220AC |
| Rectifier type | unipolar |
| Соотв. RoHS | Да |
| Mounting torque m3 | 1Nm |
| Диапазон температур хранения | -55°C to 175°C |
| Switching behavior | temperature_independent |
| Capacitance vr0 max | 434pF |
| Capacitance vr0 typ | 424pF |
| Напряжение блокировки DC | 650V |
| Mounting torque 632 | 8.8lbf-in |
| Примечание | Шоттки SiC 650В 6А |
| Capacitance vr200 max | 45pF |
| Capacitance vr200 typ | 44pF |
| Capacitance vr400 max | 43pF |
| Capacitance vr400 typ | 42.5pF |
| Power dissipation tc25 | 97W |
| Power dissipation tc110 | 42W |
| Total capacitive charge | 23nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| High frequency operation | Да |
| Surge peak reverse voltage | 650V |
| Описание (англ.) | 650V 1.7V 6A 21.5A TO-220 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS |
| Forward voltage tj25 if6a max | 1.7V |
| Forward voltage tj25 if6a typ | 1.43V |
| Operating junction temp range | -55°C to 175°C |
| Zero forward recovery voltage | Да |
| Zero reverse recovery current | Да |
| Forward voltage tj175 if6a max | 2.0V |
| Forward voltage tj175 if6a typ | 1.64V |
| Reverse current vr650 tj25 max | 50µA |
| Reverse current vr650 tj25 typ | 0.2µA |
| Continuous forward current tc25 | 23.5A |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 650V |
| Reverse current vr650 tj175 max | 100µA |
| Reverse current vr650 tj175 typ | 2.5µA |
| Continuous forward current tc125 | 12.7A |
| Continuous forward current tc157 | 6A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.55°C/W |
| Repetitive peak forward surge current | 30A |
| Неповтор. импульсный ток | 78A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?