G3S06504A
У поставщика
У поставщиков
661 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:661 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,22 |
Описание
G3S06504A — это SiC (карбид-кремниевый) MOSFET производства GPT. Компонент предназначен для высокоэффективных силовых преобразователей, обеспечивая низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах и системах электропитания для снижения потерь и повышения КПД.
Технические характеристики
| Тип | SiC диод Шоттки |
| Ток, А | 4 А |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение, В | 650 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?