Документация
Диод Шоттки SiC 600В 4A (Tc=149°C)/11A(Tc=25°C)
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
130 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 60,85 |
| от 12 | 59,44 |
| от 24 | 57,49 |
| от 50 | 54,54 |
| от 100 | 50,78 |
Описание
Диод Шоттки SiC от GPT на 600 В и 4 А (до 11 А при 25 °C). Выполнен в корпусе TO-220AC с низким прямым падением напряжения 1,7 В. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники, где важна высокая эффективность.
Технические характеристики
| Маркировка | G3S06504J |
| Корпус | TO-220AC |
| Описание | 650V/4A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Артикул | G3S06504J |
| Тип монтажа | THT |
| Соотв. RoHS | Да |
| Напряжение блокировки DC | 650V |
| Темп. хранения | -55°C to 175°C |
| Примечание | Шоттки SiC 600В 4A |
| Total capacitive charge | 11nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Mounting torque m3 screw | 1 Nm |
| Power dissipation tc 25c | 46W |
| Power dissipation tc 110c | 20W |
| Mounting torque 6 32 screw | 8.8 lbf-in |
| Surge peak reverse voltage | 650V |
| Описание (англ.) | 600V 1.7V 4A 11A TO-220 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 175°C |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 650V |
| Forward voltage if 4a tj 25c max | 1.7V |
| Forward voltage if 4a tj 25c typ | 1.53V |
| Continuous forward current tc 25c | 11A |
| Forward voltage if 4a tj 175c max | 2.5V |
| Forward voltage if 4a tj 175c typ | 2.1V |
| Continuous forward current tc 125c | 6.1A |
| Continuous forward current tc 149c | 4A |
| Reverse current vr 650v tj 25c max | 50µA |
| Reverse current vr 650v tj 25c typ | 0.07µA |
| Reverse current vr 650v tj 175c max | 100µA |
| Reverse current vr 650v tj 175c typ | 0.65µA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.26 °C/W |
| Repetitive peak forward surge current | 20A |
| Неповтор. импульсный ток | 35A |
| Total capacitance vr 0v tj 25c f 1mhz max | 220pF |
| Total capacitance vr 0v tj 25c f 1mhz typ | 181pF |
| Total capacitance vr 200v tj 25c f 1mhz max | 25pF |
| Total capacitance vr 200v tj 25c f 1mhz typ | 22.5pF |
| Total capacitance vr 400v tj 25c f 1mhz max | 21pF |
| Total capacitance vr 400v tj 25c f 1mhz typ | 20.5pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?