Документация
Диод Шоттки SiC 600В 4A (Tc=149°C)/11A(Tc=25°C)
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
154 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:154 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 60,12 |
| от 12 | 58,74 |
| от 24 | 56,81 |
| от 50 | 53,90 |
| от 100 | 50,17 |
Описание
Диод Шоттки SiC от GPT на 600 В и 4 А (до 11 А при 25 °C). Выполнен в корпусе TO-220AC с низким прямым падением напряжения 1,7 В. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники, где важна высокая эффективность.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AC |
| Примечание | Шоттки SiC 600В 4A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | 600V 1.7V 4A 11A TO-220 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS |
Заметили ошибку в описании или параметрах?