Документация
G16P03S, Биполярный транзистор 30В 16А 12мОм SOP-8
У поставщика
ПроизводительGOFORD
У поставщиков
35 000 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:35 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14,49 |
| от 30 | 12,11 |
Описание
GOFORD G16P03S — P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до -30 В и постоянный ток до -16 А, сопротивление открытого канала — 12 мОм. Подходит для схем управления питанием, защиты от обратной полярности и DC/DC-преобразователей в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SOP-8 |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| FET Type | P-Channel |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Ток стока импульсный | -64A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Артикул | G16P03S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Id непрерывный | -16A |
| Vgs threshold | -1V to -2.5V (typ -1.5V) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18 |
| Заряд сток-затвор | 8.8 nC |
| Вх. емкость | 2800 pF |
| Рассеиваемая мощность | 3W |
| Полный заряд затвора | 35 nC |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Body diode voltage | -1.2V |
| Заряд затвор-исток | 5.7 nC |
| Выходная емкость | 340 pF |
| Время спада | 17.5 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Rds on vgs minus10v | 12mΩ (max), 9.9mΩ (typ) |
| Время задержки выключения | 43.5 ns |
| Rds on vgs minus4 5v | 18mΩ (max), 14mΩ (typ) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Время обратного восстановления | 13.3 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Прямая крутизна | 42 S |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Gate source leakage current | ±100 nA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Обратная проходная емкость | 335 pF |
| Body diode continuous current | -16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -100 nA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Термосопротивление переход-среда | 41°C/W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?