Документация
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 988 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 988 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 100,54 |
| от 70 | 94,65 |
| от 140 | 90,69 |
| от 280 | 87,22 |
| от 559 | 84,87 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор FZT953TA от DIODES. Рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 5 А и мощность 3 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для цепей управления нагрузкой и коммутации в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Issue | 3 - April 2000 |
| Примечания | Single Pulse Test at Tamb = 25°C, Pulse width <= 300us, duty cycle <= 2% |
| Серия | FZT951/FZT953 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Компонент | FZT953TA |
| Описание | PNP Silicon Planar High Current Transistor |
| Part marking | DEVICE TYPE IN FULL |
| Комплементарная пара | FZT951: FZT851; FZT953: FZT853 |
| Safe operating area | Refer to datasheet graph |
| Тепл. хар-ки | Power dissipation note: Mounted on PCB with copper equal to 4 square inch minimum; Power dissipation tamb 25c: 3W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Предельные значения | Peak pulse current icm: -10A; Напряжение эмиттер-база Vebo: -6V; Напряжение коллектор-база Vcbo: -140V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -100V; Continuous collector current ic: -5A; Power dissipation tamb 25c ptot: 3W; Operating storage temperature range: -55 to +150°C |
| Электрические характеристики | Switching times: Conditions: IC = -2A, IB1 = -200mA, VCC = -10V, IB2 = 200mA; Turn on time ton: 42ns; Turn off time toff: 200ns; Input capacitance cibo: Typ: 84pF; Conditions: VEB = -2V, IC = 0, f = 1MHz; Output capacitance cobo: Typ: 78pF; Conditions: VCB = -10V, f = 1MHz; Граничная частота ft: Typ: 120MHz; Conditions: IC = -100mA, VCE = -10V, f = 50MHz; Emitter cut off current iebo: Max: -10nA; Conditions: VEB = -6V; Collector cut off current icbo: Max: -50nA; Conditions: VCB = -100V; Collector cut off current icer: Max: -50nA; Conditions: VCB = -100V, RB <= 1k; Base emitter turn on voltage vbeon: Min: -935mV; Typ: -1070mV; Conditions: IC = -5A, VCE = -1V; Пробивное эмиттер-база: Min: -6V; Typ: -8V; Conditions: IE = -100uA; Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat: Max: -1.0V; Min: -0.8V; Typ: -0.9V; Conditions: IC = -1A, IB = -100mA, Max: -1.0V; Min: -0.8V; Typ: -0.9V; Conditions: IC = -2A, IB = -200mA, Max: -1.0V; Min: -0.8V; Typ: -0.9V; Conditions: IC = -5A, IB = -500mA; Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo: Min: -140V; Typ: -170V; Conditions: IC = -100uA; Collector cut off current icbo high temp: Max: -1uA; Conditions: VCB = -100V, Tamb = 100°C; Collector cut off current icer high temp: Max: -1uA; Conditions: VCB = -100V, Tamb = 100°C, RB <= 1k; Static forward current transfer ratio hfe: Min: 100; Typ: 200; Conditions: IC = -10mA, VCE = -1V, Max: 300; Min: 100; Typ: 200; Conditions: IC = -2A, VCE = -1V, Min: 75; Typ: 90; Conditions: IC = -5A, VCE = -1V, Min: 10; Typ: 25; Conditions: IC = -10A, VCE = -1V; Напряж. пробоя К-Э: Min: -100V; Typ: -120V; Conditions: IC = -10mA; Collector emitter breakdown voltage vbrcer: Min: -140V; Typ: -170V; Conditions: IC = -1mA, RB <= 1k; Напряжение насыщения КЭ: Max: -0.5V; Min: -0.2V; Typ: -0.3V; Conditions: IC = -1A, IB = -100mA, Max: -0.8V; Min: -0.3V; Typ: -0.5V; Conditions: IC = -2A, IB = -200mA, Max: -1.0V; Min: -0.5V; Typ: -0.7V; Conditions: IC = -5A, IB = -500mA |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 100V 5A SOT-223 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?