Документация
Транзистор биполярный FZT851TA / NPN, 6А, 60В, SOT-223
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 121,19 |
| от 32 | 113,74 |
| от 63 | 107,82 |
| от 125 | 102,64 |
| от 250 | 99,13 |
Описание
Транзистор биполярный NPN FZT851TA производства DIODES Incorporated. Предназначен для применения в цепях усиления и коммутации средней мощности. Отличается низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер, что обеспечивает высокую эффективность работы. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 400V |
| Вес | 0.112g |
| ЭСР HBM | 8000V |
| Маркировка | FZT851 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | FZT851TA |
| Размер катушки | 7 inches |
| Соответствие | AEC-Q101, RoHS, Halogen and Antimony Free, PPAP Capable |
| Размеры | A: 1.55-1.65mm; B: 0.60-0.80mm; C: 0.20-0.30mm; D: 6.45-6.55mm; E: 4.60mm; L: 0.85-1.05mm; Q: 0.84-0.94mm; A1: 0.010-0.15mm; B1: 2.90-3.10mm; E1: 2.30mm |
| Ширина ленты | 12mm |
| Описание | 60V NPN Medium Power Transistor in SOT223 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads |
| Тип транзистора | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 24W |
| Кол-во на катушке | 1000 |
| Switching time ton | 45ns |
| Dc current gain hfe | 100-300 |
| Switching time toff | 1100ns |
| Suggested pad layout | C: 2.30mm; X: 1.20mm; Y: 1.60mm; C1: 6.40mm; X1: 3.30mm; Y1: 1.60mm; Y2: 8.00mm |
| Ul flamability rating | 94V-0 |
| Коэффициент снижения мощности | 1.6mW/°C |
| Peak pulse current icm | 20A |
| Power dissipation note | 3.0W (Note 6), 12.8W (Note 7) |
| Output capacitance cobo | 45pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 150V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 10nA |
| Описание (англ.) | NPN 60V 6A 3000mW Automotive |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 15nA |
| Collector cutoff current icer | 15nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 60V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Continuous collector current ic | 6A |
| Current gain bandwidth product ft | 130MHz |
| Base emitter turn on voltage vbeon | 1150mV |
| Emitter base breakdown voltage bvebo | 7V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat | 1200mV |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | 150V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | 60V |
| Collector emitter breakdown voltage bvcer | 150V |
| Thermal resistance junction to lead rthjl | 8.8°C/W |
| Напряжение насыщения КЭ | 100mV @ 1A, 170mV @ 2A, 375mV @ 6A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 42°C/W (Note 6), 78°C/W (Note 7) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?