Документация
Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
144 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт125,43 ₽
Сумма1 254,30 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии144 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 17 — 116,96 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 254,30 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 045,70 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 254,30 ₽
Описание
Биполярный PNP транзистор FZT751TA от DIODES рассчитан на напряжение до 60 В и ток до 3 А при мощности 3000 мВт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных устройствах коммутации.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz min, 140MHz typ at VCE=-5V, IC=-100mA, f=100MHz |
| Время включения | 40ns typ at VCC=-10V, IC=-500mA, IB1=IB2=-50mA |
| Cobo | 30pF max at VCB=-10V, f=1MHz |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | <1nA at VCB=-60V, Tamb=+25°C; <1µA at VCB=-60V, Tamb=+100°C |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | <1nA at VEB=-4V; <100nA at VEB=-4V |
| Toff | 450ns typ at VCC=-10V, IC=-500mA, IB1=IB2=-50mA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -80V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -60V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -7V |
| Bvcbo | -80V |
| Bvceo | -60V |
| Bvebo | -7V |
| Rthjl | 12.9°C/W |
| ESD (мм) | 400V |
| Hfe 1a | 100 min, 200 typ at IC=-1A, VCE=-2V |
| Hfe 2a | 40 min, 150 typ at IC=-2A, VCE=-2V |
| Напряжение база-эмиттер вкл | -0.8V typ, -1.0V max at IC=-1A, VCE=-2V |
| Вес | 0.112g |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Маркировка | FZT751 |
| Корпус | SOT-223 |
| Температура перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | -0.9V typ, -1.25V max at IC=-1A, IB=-100mA |
| Hfe 50ma | 70 min, 200 typ at IC=-50mA, VCE=-2V |
| Тип монтажа | SMD |
| Pd note5 | 2W |
| Pd note6 | 3W |
| Код даты | YWW |
| Hfe 500ma | 100 min, 200 typ at IC=-500mA, VCE=-2V |
| Клеммы | Matte Tin Plated Leads, Solderable per MIL-STD-202 Method 208 |
| Размеры | A: 1.55-1.65mm (typ 1.60mm); C: 0.20-0.30mm (typ 0.25mm); D: 6.45-6.55mm (typ 6.50mm); E: 3.45-3.55mm (typ 3.50mm); Индуктивность: 0.85-1.05mm (typ 0.95mm); Q: 0.84-0.94mm (typ 0.89mm); B: 0.60-0.80mm (typ 0.70mm); E: 4.60mm; A1: 0.010-0.15mm (typ 0.05mm); E1: 6.90-7.10mm (typ 7.00mm); B1: 2.90-3.10mm (typ 3.00mm); E1: 2.30mm; Theta: 0°-10° |
| Vce sat 1a | -0.15V typ, -0.3V max at IC=-1A, IB=-100mA |
| Vce sat 3a | -0.45V typ, -0.6V max at IC=-3A, IB=-300mA |
| Описание | 60V PNP High Performance Transistor in SOT223 |
| Артикул | FZT751TA |
| Rthja note5 | 62.5°C/W |
| Rthja note6 | 41.7°C/W |
| Применение | Automotive Lighting, MOSFET and IGBT Gate Driving |
| Без галогенов | Да |
| Reel size ta | 7 inches |
| Reel size tc | 13 inches |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound, UL Flammability Rating 94V-0 |
| Непрерывный ток коллектора | -3A |
| Tape width ta | 12mm |
| Tape width tc | 12mm |
| Icm peak pulse | -6A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | PNP |
| Комплементарный NPN | FZT651 |
| AEC-Q101 | Да |
| Класс MM JEDEC | C |
| Класс HBM JEDEC | 3A |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Quantity per reel ta | 1000 |
| Quantity per reel tc | 4000 |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 2.30mm; X: 1.20mm; Y: 1.60mm; C1: 6.40mm; X1: 3.30mm; Y1: 1.60mm; Y2: 8.00mm |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?