Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 3 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
960 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт40,71 ₽
Сумма610,65 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии960 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 48 — 37,29 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 610,65 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 689,35 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 610,65 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор FZT690BTA от DIODES рассчитан на напряжение до 45 В и ток до 3 А. Компонент выпускается в компактном корпусе SOT-223, удобном для поверхностного монтажа. Подходит для применения в схемах управления нагрузкой, импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 400V |
| Вес | 0.112g |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | 45V NPN Medium Power High Gain Transistor |
| Артикул | FZT690BTA |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | FZT690B |
| PPAP | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Ширина ленты мм | 12 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads |
| Тип транзистора | NPN |
| Бессвинцовое покрытие | Да |
| Размер катушки, дюйм | 7 |
| Turn on time ton | 33ns |
| Кол-во на катушке | 1000 |
| AEC-Q101 | Да |
| Turn off time toff | 1300ns |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Рассеиваемая мощность Pd | 3.0W |
| On resistance rce sat | 125mΩ |
| Input capacitance cibo | 200pF |
| Peak pulse current icm | 6A |
| Выходная ёмкость (Cobo) | 16pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Dc current gain hfe min 1a | 400 |
| Dc current gain hfe min 2a | 500 |
| Dc current gain hfe min 3a | 50 |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Base emitter turn on vbe on | 0.9V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 45V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1µA |
| Dc current gain hfe min 0.1a | 500 |
| Power dissipation pd min pad | 1.2W |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 45V 3A SOT-223 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Power dissipation pd 25x25 1oz | 1.6W |
| Power dissipation pd 25x25 2oz | 2.0W |
| Base emitter saturation vbe sat | 0.9V |
| Continuous collector current ic | 3A |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 12.9°C/W |
| Граничная частота усиления (ft) | 150MHz |
| Обратный ток коллектор-база (ICBO) | 0.1µA |
| Collector emitter saturation vce sat 1a | 0.1V |
| Collector emitter saturation vce sat 2a | 0.15V |
| Collector emitter saturation vce sat 3a | 0.5V |
| Collector emitter saturation vce sat 0.1a | 0.05V |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 104°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 25x25 1oz | 78.1°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 25x25 2oz | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 50x50 2oz | 41.7°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?