Документация
Описание
Транзистор NPN FZT688BTA от DIODES Inc. — мощный высокочастотный ключ в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 4 А, импульсный ток до 10 А и рассеивает до 2 Вт при крайне низком сопротивлении открытого канала (83 мОм). Благодаря высокому коэффициенту усиления (типовое значение 400 при 3 А) и малому времени переключения подходит для фотовспышек и портативных устройств с батарейным питанием.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor |
| Примечания | Extremely low equivalent on resistance, Gain of 400 at I=3 Amps, Low saturation voltage, Measured under pulsed conditions unless noted, Spice parameter data available upon request |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | FZT688BTA |
| Макс. мощность | 2 W |
| Применение | Flash gun convertors, Battery powered circuits |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-261-4, TO-261AA |
| Тип транзистора | NPN |
| Описание | TRANS NPN 12V 4A SOT-223-3 |
| Вх. емкость | 200 pF |
| Рассеиваемая мощность | 2W |
| Switching time on | 40 ns |
| Выходная емкость | 40 pF |
| Импульсный ток макс. | 10A |
| Switching time off | 500 ns |
| Структура | NPN |
| Коэфф. усиления по току hFE | Тип: typical; Value: 500; Conditions: Ic=0.1A, Vce=2V, Тип: typical; Value: 400; Conditions: Ic=3A, Vce=2V, Тип: typical; Value: 100; Conditions: Ic=10A, Vce=2V |
| Частота перехода | 150 MHz |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Частота перехода | 150MHz |
| Корпус по производителю | SOT-223-3 |
| Предельные значения | Темп. диапазон: -55 to +150°C; Импульсный ток макс.: 10A; Напряжение эмиттер-база: 5V; Напряжение коллектор-база: 12V; Рассеиваемая мощность при 25 °C: 2W; Напряжение коллектор-эмиттер: 12V; Постоянный ток коллектора: 4A |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Equivalent on resistance | 83 mΩ (typical at 3A) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 12V |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Base emitter turn on voltage | Тип: typical; Value: 1.0V; Conditions: Ic=3A, Vce=2V |
| Постоянный ток коллектора | 4A |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 4A |
| Макс. напр. К-Э | 12V |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 4 A |
| Напр. нас. база-эмиттер | Тип: typical; Value: 1.1V; Conditions: Ic=3A, Ib=20mA |
| Макс. ток отсечки коллектора | 100nA (ICBO) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Тип: typical; Value: 0.04V; Conditions: Ic=0.1A, Ib=1mA, Тип: typical; Value: 0.06V; Conditions: Ic=0.1A, Ib=0.5mA, Тип: typical; Value: 0.18V; Conditions: Ic=1A, Ib=50mA, Тип: typical; Value: 0.35V; Conditions: Ic=3A, Ib=20mA, Тип: typical; Value: 0.40V; Conditions: Ic=4A, Ib=50mA |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 400 @ 3A, 2V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 12 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 500 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 12 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?