Документация
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
342 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:342 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,18 |
| от 61 | 32,05 |
| от 121 | 29,49 |
| от 241 | 27,54 |
| от 481 | 26,08 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор от DIODES рассчитан на напряжение до 100 В и ток до 2 А. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в схемах управления нагрузкой и коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 400V |
| Вес | 0.112g |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Маркировка | FZT653 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Соответствие | AEC-Q101, RoHS, Halogen and Antimony Free |
| Описание | 100V NPN High Performance Transistor in SOT223 |
| Артикул | FZT653TA |
| Размеры a | 1.55-1.65mm |
| Размеры b | 0.60-0.80mm |
| Размеры c | 0.20-0.30mm |
| Размеры d | 6.45-6.55mm |
| Размер E | 3.45-3.55mm |
| Длина | 0.85-1.05mm |
| Pad layout c | 2.30mm |
| Pad layout x | 1.20mm |
| Pad layout y | 1.60mm |
| Reel size ta | 7 inches |
| Reel size tc | 13 inches |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound, UL Flammability Rating 94V-0 |
| Dimensions a1 | 0.010-0.15mm |
| Dimensions b1 | 2.90-3.10mm |
| Dimensions e1 | 6.90-7.10mm |
| Pad layout c1 | 6.40mm |
| Pad layout x1 | 3.30mm |
| Pad layout y1 | 1.60mm |
| Pad layout y2 | 8.00mm |
| Tape width ta | 12mm |
| Tape width tc | 12mm |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads |
| Тип транзистора | NPN |
| Комплементарный PNP | FZT753 |
| Шаг выводов E | 4.60mm |
| Switching time ton | 80ns |
| Dimensions e1 pitch | 2.30mm |
| Switching time toff | 1200ns |
| Power dissipation pd | 1.6W |
| Quantity per reel ta | 1000 |
| Quantity per reel tc | 4000 |
| Peak pulse current icm | 6A |
| Output capacitance cobo | 30pF |
| Power dissipation note5 | 3W |
| Power dissipation note6 | 2W |
| Power dissipation note7 | 1.6W |
| Power dissipation note8 | 1.2W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Storage temperature tstg | -55 to +150°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Dc current gain hfe max 1a | 300 |
| Dc current gain hfe max 2a | 55 |
| Dc current gain hfe min 1a | 100 |
| Dc current gain hfe min 2a | 25 |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 120V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA |
| Dc current gain hfe max 50ma | 200 |
| Dc current gain hfe min 50ma | 70 |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 100V 2A SOT-223 |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 1µA |
| Dc current gain hfe max 500ma | 300 |
| Dc current gain hfe min 500ma | 100 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Continuous collector current ic | 2A |
| Current gain bandwidth product ft | 175MHz |
| Operating junction temperature tj | -55 to +150°C |
| Collector cutoff current icbo 125c | 1µA |
| Base emitter turn on voltage vbe on | 1.0V |
| Emitter base breakdown voltage bvebo | 7V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | 120V |
| Thermal resistance junction lead rthjl | 12.9°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | 1.25V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | 100V |
| Thermal resistance junction ambient note5 | 41.7°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note6 | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note7 | 78.1°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note8 | 104°C/W |
| Thermal resistance junction ambient rthja | 78.1°C/W |
| Collector emitter saturation voltage vce sat 1a | 0.3V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat 2a | 0.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?