+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FZT605TA
Документация

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 1.5 А, 2Вт

Артикул:792245
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
935 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:935 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 24 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 129,00
от 7426,29
от 14824,05
от 29522,36
от 58921,09
Описание

Биполярный NPN транзистор Дарлингтона от DIODES. Выдерживает напряжение до 120 В и ток до 1.5 А при мощности 2 Вт, выполнен в компактном корпусе SOT223-4. Подходит для схем управления нагрузками в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ESD (мм)400V (Class C)
Вес0.112 grams
ЭСР HBM4000V (Class 3A)
РазмерыA: 1.60mm (typ), 1.55-1.65mm; B: 0.70mm (typ), 0.60-0.80mm; C: 0.25mm (typ), 0.20-0.30mm; D: 6.50mm (typ), 6.45-6.55mm; E: 3.50mm (typ), 3.45-3.55mm; L: 0.85-1.05mm (typ 0.95mm); Q: 0.89mm (typ), 0.84-0.94mm; A1: 0.05mm (typ), 0.01-0.15mm; B1: 3.00mm (typ), 2.90-3.10mm; E1: 7.00mm (typ), 6.90-7.10mm
Покрытие выводовMatte Tin Plated
Без галогеновДа
КорпусSOT223-4
Без сурьмыДа
Материал корпусаMolded Plastic, Green Molding Compound
Тип монтажаSMD
Соотв. RoHSДа
Вх. емкость90pF
AEC-Q101Да
Выходная емкость15pF
Hfe мин.Ic 2a vce 5v: 500; Ic 50ma vce 5v: 2000; Ic 500ma vce 5v: 5000
Частота перехода150MHz
Turn on time typical0.5µs
Макс. рассеиваемая мощностьMinimum pad layout: 1.2W; 25mm x 25mm 1oz copper: 1.6W; 25mm x 25mm 2oz copper: 2.0W; 50mm x 50mm 2oz copper: 3.0W
Turn off time typical1.6µs
Peak pulse current max4A
Рейтинг горючести UL94V-0
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база макс.14V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.140V
Уровень чувствительности к влаге1
Диап. раб. темп.-55°C to +150°C
Описание (англ.)TRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223
Макс. напр. К-Э120V
Base emitter turn on voltage max1.7V
Continuous collector current max1.5A
Thermal resistance junction lead12.9°C/W
Макс. Uбэ нас.1.8V
Тепловое сопротивление переход-средаMinimum pad layout: 104°C/W; 25mm x 25mm 1oz copper: 78.1°C/W; 25mm x 25mm 2oz copper: 62.5°C/W; 50mm x 50mm 2oz copper: 41.7°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.1.5V

Заметили ошибку в описании или параметрах?