Документация
Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 80В 2A SOT-223
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
404 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:404 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 46 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,28 |
| от 22 | 15,50 |
| от 40 | 14,51 |
| от 79 | 13,58 |
| от 157 | 12,75 |
Описание
Биполярный транзистор NPN Дарлингтона от DIODES. Выдерживает напряжение до 80 В и ток до 2 А при мощности 2000 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для схем усиления тока в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.112 grams (approx) |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN Darlington |
| Описание | 80V NPN Darlington transistor in SOT223 |
| Esd ratings | Machine model: 200V (Class B); Human body model: 2000V (Class 2) |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads, Solderable per MIL-STD-202, Method 208 |
| Артикул | FZT603TA |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Соотв. RoHS | Да |
| Cutoff currents | Emitter cutoff iebo: 100nA (max) at VEB=8V; Collector base cutoff icbo: 100nA (max) at VCB=80V; Collector emitter cutoff ices: 10µA (max) at VCES=80V |
| Turn on time ton | 0.5µs (typ) |
| Рассеиваемая мощность | Note 5: 3.0W; Note 6: 2.0W; Note 7: 1.6W; Note 8: 1.2W |
| AEC-Q101 | Да |
| Breakdown voltages | Emitter base bvebo: 10V (min); Collector base bvcbo: 100V (min); Collector emitter bvceo: 80V (min) |
| Размеры упаковки | A: 1.55-1.65mm; B: 0.60-0.80mm; C: 0.20-0.30mm; D: 6.45-6.55mm; E: 3.45-3.55mm; L: 0.85-1.05mm; A1: 0.010-0.15mm; B1: 2.90-3.10mm; E1: 6.90-7.10mm; E pitch: 4.60mm (typ); E1 pitch: 2.30mm (typ) |
| Turn off time toff | 1.6µs (typ) |
| Dc current gain hfe | Ic 1a vce 5v: 2000-100000; Ic 2a vce 5v: 2000-100000; Ic 5a vce 5v: 2000 (min); Ic 6a vce 5v: 750 (min); Ic 50ma vce 5v: 3000-14000; Ic 500ma vce 5v: 5000-15000 |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Suggested pad layout | C: 2.30mm; X: 1.20mm; Y: 1.60mm; C1: 6.40mm; X1: 3.30mm; Y1: 1.60mm; Y2: 8.00mm |
| Input capacitance cibo | 90pF (at VEB=0.5V, f=1MHz) |
| Peak pulse current icm | 6A |
| Output capacitance cobo | 15pF (at VCB=10V, f=1MHz) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 10V |
| Halogen and antimony free | Да |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Описание (англ.) | Darlington NPN 80V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 80V |
| Continuous collector current ic | 2A |
| Current gain bandwidth product ft | 150MHz (at VCE=10V, IC=100mA) |
| Base emitter turn on voltage vbe on | 1.50-1.75V (at IC=2A, VCE=5V) |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 12.9°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | Note 5: 41.7°C/W; Note 6: 62.5°C/W; Note 7: 78.1°C/W; Note 8: 104°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | 1.70-1.95V (at IC=2A, IB=20mA) |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | Ic 1a ib 1ma: 0.88-1.00V; Ic 2a ib 20ma: 0.99-1.13V; Ic 0.4a ib 0.4ma: 0.80-0.90V; Ic 250ma ib 0.25ma: 0.79-0.88V; Ic 2a ib 20ma tj 150c: 0.86V (typ) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?