Документация
Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
887 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:887 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,26 |
| от 48 | 42,38 |
| от 95 | 39,18 |
| от 190 | 36,79 |
| от 380 | 34,99 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор FZT560TA от DIODES. Выдерживает напряжение до 500 В и ток до 0,15 А, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Transistor |
| ESD (мм) | 400V |
| Вес | 0.112 grams |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Маркировка | FZT560 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Размеры | A: 1.55-1.65mm; B: 0.60-0.80mm; C: 0.20-0.30mm; D: 6.45-6.55mm; E: 3.45-3.55mm; L: 0.85-1.15mm; Q: 0.20-0.30mm; A1: 0.010-0.15mm; B1: 2.90-3.10mm; E1: 6.90-7.10mm; E pitch: 4.60mm |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Turn on time ton | 110ns |
| Turn off time toff | 1.5µs |
| Dc current gain hfe | 100-300 (IC=-1mA, VCE=-10V), 80-300 (IC=-50mA, VCE=-10V), 15 (IC=-100mA, VCE=-10V) |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Power dissipation pd | 2W to 3W |
| Suggested pad layout | C: 2.30mm; X: 1.20mm; Y: 1.60mm; C1: 6.40mm; X1: 3.30mm; Y1: 1.60mm; Y2: 8.00mm |
| Peak pulse current icm | -500mA |
| Output capacitance cobo | 8pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -7V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 per J-STD-020 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -500V |
| Emitter cut off current iebo | -100nA |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 500V 0.15A SOT223 |
| Collector cut off current icbo | -100nA |
| Collector cut off current ices | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -500V |
| Continuous collector current ic | -150mA |
| Current gain bandwidth product ft | 60MHz |
| Base emitter turn on voltage vbe on | -900mV (IC=-50mA, VCE=-10V) |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | -900mV (IC=-50mA, IB=-10mA) |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Thermal resistance junction to leads rθjl | 14.8°C/W |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | -250mV (IC=-50mA, IB=-10mA), -500mV (IC=-100mA, IB=-20mA) |
| Тепловое сопр. переход-среда | 62.5°C/W (25mm x 25mm 2oz FR4), 41.7°C/W (50mm x 50mm 2oz FR4) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?