+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FZT493TA
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Артикул:861711
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
101 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:101 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 40 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 118,80
от 1917,99
от 3516,92
от 6915,88
от 13714,93
Описание

Биполярный NPN-транзистор FZT493TA от DIODES. Рассчитан на напряжение до 100 В и ток до 1 А, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в импульсных источниках питания и схемах управления нагрузкой в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипNPN
ESD (мм)400V
Ib max200mA
Вес0.112g
ЭСР HBM4000V
МаркировкаFZT493
КорпусSOT223
Тип монтажаSMD
VCBO макс.120V
Vceo макс.100V
Vebo макс.7V
РазмерыВысота: 1.55-1.65mm; Ширина корпуса: 3.45-3.55mm; Шаг выводов: 4.60mm; Длина корпуса: 6.45-6.55mm
Покрытие выводовMatte Tin Plated, Solderable
Без галогеновДа
Без сурьмыДа
Ic continuous1A
Ic peak pulse2A
Соотв. RoHSДа
Материал корпусаMolded Plastic, Green, UL94V-0
Комплементарный PNPFZT593
Рассеиваемая мощностьMinimum pad: 1.2W; 25x25mm 1oz copper: 1.6W; 25x25mm 2oz copper: 2.0W; 50x50mm 2oz copper: 3.0W
AEC-Q101Да
Dc current gain hfeMin 30 at 1A Vce10V: 30; Min 100 at 1mA Vce10V: 100; Min 180 at 500mA Vce10V: 180
Макс. выходная емкость10pF
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Диап. раб. темп.-55 to +150°C
Описание (англ.)TRANS NPN 100V 1A SOT-223
Base emitter turn on voltage max1.0V
Thermal resistance junction lead19.4°C/W
Current gain bandwidth product fT150MHz
Макс. Uбэ нас.1.15V
Тепловое сопротивление переход-среда25x25mm 1oz: 78.1°C/W; 25x25mm 2oz: 62.5°C/W; 50x50mm 2oz: 41.7°C/W; Minimum pad: 104°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерTyp 0.6V at Ic1A Ib100mA: 0.6V; Typ 0.3V at Ic500mA Ib50mA: 0.3V

Заметили ошибку в описании или параметрах?