Документация
Тиристор FS8205A
У поставщика
У поставщиков
17 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 7,02 |
| от 100 | 6,58 |
| от 200 | 6,32 |
| от 500 | 5,92 |
Цены поставщиков
Склад 7
В наличии:17 шт
Цена по запросуОписание
Тиристор FS8205A от FORTUNE — это сдвоенный N-канальный полевой MOSFET-транзистор с улучшенными характеристиками. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и импульсный ток стока до 25 А, выпускается в компактном корпусе TSSOP-8 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в портативной электронике, цепях управления питанием и коммутации нагрузки.
Технические характеристики
| Тип | Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Компонент | FS8205A |
| Производитель | Fortune Semiconductor Corporation |
| Тип упаковки | TSSOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество каналов | 2 |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Напр. диода | 1.2V max (Is=1.25A, Vgs=0V) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| Voltage gate source max | ±12V |
| Voltage drain source max | 20V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 °C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.45V |
| Gate source leakage current | ±0.1 µA max (Vgs=±10V) |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150 °C |
| Длительный ток стока 25°C | 6A |
| Continuous drain current 70c | 5A |
| Diode continuous source current | 0.83A |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1 µA max (Vds=16V, Vgs=0V) |
| Drain source leakage current 70c | 25 µA max (Vds=16V, Vgs=0V) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 125 °C/W |
| Static drain source on resistance 2v5 | 37 mΩ max (Vgs=2.5V, Id=3A) |
| Static drain source on resistance 4v5 | 28 mΩ max (Vgs=4.5V, Id=4A) |