Документация
Тиристор FS8205A
У поставщика
У поставщиков
9 243 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 8,23 |
| от 100 | 7,72 |
| от 200 | 7,41 |
| от 500 | 6,95 |
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:8 003 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,39 |
| от 180 | 19,78 |
| от 290 | 18,30 |
| от 480 | 17,13 |
| от 810 | 16,30 |
Склад 13
В наличии:1 240 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,76 |
| от 70 | 27,92 |
| от 140 | 25,59 |
| от 279 | 23,81 |
| от 557 | 22,49 |
Описание
Тиристор FS8205A от FORTUNE — это сдвоенный N-канальный полевой MOSFET-транзистор с улучшенными характеристиками. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и импульсный ток стока до 25 А, выпускается в компактном корпусе TSSOP-8 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в портативной электронике, цепях управления питанием и коммутации нагрузки.
Технические характеристики
| Тип | Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Корпус | TSSOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | FS8205A |
| Описание | Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Применение | Li-ion battery management |
| Производитель | Fortune Semiconductor Corporation |
| Тип упаковки | TSSOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во на катушке | 3000 |
| Количество каналов | 2 |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Напр. диода | 1.2V max (Is=1.25A, Vgs=0V) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| Gate threshold voltage | 0.45V min, 1.2V max at VDS=VGS, ID=250uA |
| Коэффициент снижения мощности | 0.008W/°C |
| On resistance vgs 2 5v | 30mΩ typ, 37mΩ max at VGS=2.5V, ID=3A |
| On resistance vgs 4 5v | 23mΩ typ, 28mΩ max at VGS=4.5V, ID=4A |
| Voltage gate source max | ±12V |
| Voltage drain source max | 20V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 °C |
| Forward voltage body diode | 1.2V max at IS=1.25A, VGS=0V, Tj=25°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.45V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Gate source leakage current | ±0.1 µA max (Vgs=±10V) |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150 °C |
| Total power dissipation 25c | 1W |
| Длительный ток стока 25°C | 6A |
| Continuous drain current 70c | 5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20V min |
| Diode continuous source current | 0.83A |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1 µA max (Vds=16V, Vgs=0V) |
| Drain source leakage current 70c | 25 µA max (Vds=16V, Vgs=0V) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 125 °C/W |
| Continuous source current body diode | 0.83A max |
| Static drain source on resistance 2v5 | 37 mΩ max (Vgs=2.5V, Id=3A) |
| Static drain source on resistance 4v5 | 28 mΩ max (Vgs=4.5V, Id=4A) |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.1V/°C typ |
| Thermal resistance junction ambient min copper pad | 208°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?