Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
163 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:163 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 237,00 |
| от 10 | 222,49 |
| от 20 | 210,66 |
| от 50 | 201,86 |
| от 100 | 195,30 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 800 В и токе до 8 А, рассеивает до 59 Вт тепла. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | 800V N-Channel MOSFET, QFET, planar stripe DMOS |
| Mosfet type | N-Channel enhancement mode |
| Артикул | FQPF8N80C |
| Макс. время спада | 150ns |
| Макс. время нарастания | 230ns |
| Dvdt capability | 4.5V/ns |
| Avalanche energy | 850mJ |
| Лавинный ток | 8A |
| Заряд сток-затвор | 14nC typ at VDS=640V, ID=8A, VGS=10V |
| Вх. емкость | 1580pF typ (2050pF max) at VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 59W |
| Полный заряд затвора | 35nC typ (45nC max) at VDS=640V, ID=8A, VGS=10V |
| Время нарастания | 110ns typ (230ns max) at VDD=400V, ID=8A, RG=25Ω |
| Заряд затвор-исток | 10nC typ at VDS=640V, ID=8A, VGS=10V |
| Выходная емкость | 135pF typ (175pF max) at VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Время спада | 70ns typ (150ns max) at VDD=400V, ID=8A, RG=25Ω |
| Время задержки включения | 40ns typ (90ns max) at VDD=400V, ID=8A, RG=25Ω |
| Power derate factor | 0.48W/°C |
| Время задержки выключения | 65ns typ (140ns max) at VDD=400V, ID=8A, RG=25Ω |
| Voltage gate source | ±30V |
| Drain current pulsed | 32A |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Voltage drain source | 800V |
| Входная емкость макс. | 2050pF |
| Мощн. рас. 25°C | 59W |
| Время обратного восстановления | 690ns typ at IS=8A, dIF/dt=100A/µs |
| Заряд затвора макс. | 45nC |
| Gate threshold voltage | 3.0V to 5.0V at VDS=VGS, ID=250µA |
| Макс. выходная емкость | 175pF |
| Время вкл. макс. | 90ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 8.2µC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. время выключения | 140ns |
| Drain current continuous | 8A (at TC=25°C), 5.1A (at TC=100°C) |
| Макс. напряжение сток-исток | 800V |
| Прямая крутизна | 5.6S at VDS=50V, ID=4A |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Типовая входная емкость | 1580pF |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Total gate charge typical | 35nC |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Температура пайки выводов | 300°C for 5 seconds at 1/8 inch from case |
| Тип. выходная емкость | 135pF |
| Энергия лавины | 17.8mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 8A |
| Обратная проходная емкость | 13pF typ (17pF max) at VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Непрерывный ток стока 100°C | 5.1A |
| Reverse recovery time typical | 690ns |
| Напряжение пробоя сток-исток | 800V min at VGS=0V, ID=250µA |
| Макс. Rси вкл. | 1.55Ω at VGS=10V, ID=4A |
| Drain source on resistance typ | 1.29Ω at VGS=10V, ID=4A |
| Single pulsed avalanche energy | 850mJ |
| Forward transconductance typical | 5.6S |
| Reverse transfer capacitance max | 17pF |
| Gate body leakage current forward | 100nA max at VGS=30V |
| Gate body leakage current reverse | -100nA max at VGS=-30V |
| Drain source diode forward voltage | 1.4V max at IS=8A, VGS=0V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.1°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 10µA max at VDS=800V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Reverse transfer capacitance typical | 13pF |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA max at VDS=640V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.5 V/°C |
| Pulsed drain source diode forward current | 32A |
| Continuous drain source diode forward current | 8A |
| Обратное напряжение, В | 800 |
| Прямой ток, А | 8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?