Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 141,30 |
| от 6 | 138,84 |
| от 11 | 135,50 |
| от 22 | 130,46 |
| от 50 | 122,89 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 650 В, ток до 7 А, мощность рассеивания 52 Вт, корпус TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | FQPF7N65C |
| Технология | QFET (planar stripe DMOS) |
| Макс. время спада | 120ns |
| Тип. время спада | 55ns |
| Макс. время нарастания | 110ns |
| Тип. время нарастания | 50ns |
| Лавинный ток | 7A |
| Макс. R вкл. | 1.4Ω |
| On resistance typ | 1.2Ω |
| Рассеиваемая мощность | 52W |
| Импульсный ток стока | 28A |
| Тип. заряд затвор-сток | 12nC |
| Входная емкость макс. | 1245pF |
| Тип. входная емкость | 955pF |
| Заряд затвора макс. | 36nC |
| Тип. заряд затвора | 28nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 4.5nC |
| Макс. выходная емкость | 130pF |
| Выходная емкость тип. | 100pF |
| Время вкл. макс. | 50ns |
| Время задержки вкл. тип. | 20ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 190ns |
| Время задержки выкл. тип. | 90ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 650V |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5 V/ns |
| Тип. время восст. | 400ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Температура пайки выводов | 300°C for 5 seconds |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Энергия лавины | 1.6mJ |
| Тип. заряд восст. | 3.3µC |
| Длительный ток стока 25°C | 7A |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 650V, 7A, 52W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 4.2A |
| Single pulsed avalanche energy | 212mJ |
| Reverse transfer capacitance max | 16pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 12pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.4 °C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Напряжение, В | 650 |
| Ток, А | 7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?