Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
24 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:24 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 145,42 |
| от 6 | 142,92 |
| от 11 | 139,53 |
| от 21 | 134,42 |
| от 50 | 126,72 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 600 В, ток до 4.3 А, корпус TO-220FP с изолированным фланцем. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | FQPF7N60 |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Технология | Planar stripe DMOS |
| Артикул | FQPF7N60 |
| Кол-во в упаковке | 50 units (tube) |
| Лавинный ток | 4.3A |
| Drain current pulsed | 17.2A |
| Тип. заряд затвор-сток | 14.5nC |
| Входная емкость макс. | 1430pF |
| Тип. входная емкость | 1100pF |
| Мощн. рас. 25°C | 48W |
| Заряд затвора макс. | 38nC |
| Тип. заряд затвора | 29nC |
| Turn on rise time max | 170ns |
| Turn on rise time typ | 80ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 7nC |
| Макс. выходная емкость | 175pF |
| Выходная емкость тип. | 135pF |
| Power derate above 25c | 0.38 W/°C |
| Turn off fall time max | 130ns |
| Turn off fall time typ | 60ns |
| Время вкл. макс. | 70ns |
| Время задержки вкл. тип. | 30ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 140ns |
| Время задержки выкл. тип. | 65ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Тип. время восст. | 320ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Энергия лавины | 4.8mJ |
| Тип. заряд восст. | 2.4μC |
| Drain current continuous 25c | 4.3A |
| Forward transconductance typ | 6.4S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Drain current continuous 100c | 2.7A |
| Макс. Rси вкл. | 1.0Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.8Ω |
| Single pulsed avalanche energy | 580mJ |
| Reverse transfer capacitance max | 21pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 16pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.6°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Gate body leakage current forward max | 100nA |
| Gate body leakage current reverse max | -100nA |
| Pulsed drain source diode current max | 17.2A |
| Drain source diode forward voltage max | 1.4V |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 10μA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 100μA |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.67 V/°C |
| Continuous drain source diode current max | 4.3A |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?