Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
98 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:98 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 204,07 |
| от 7 | 201,25 |
| от 14 | 197,66 |
| от 28 | 192,77 |
| от 50 | 186,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на высокое рабочее напряжение и ток, подходит для применения в импульсных источниках питания и силовой электронике. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что способствует снижению потерь при коммутации.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | QFET planar stripe DMOS |
| Описание | 900V N-Channel MOSFET |
| Артикул | FQPF6N90C |
| Лавинный ток | 6A |
| Заряд сток-затвор | 12nC |
| Полный заряд затвора | 30nC |
| Время нарастания | 90ns |
| Заряд затвор-исток | 9nC |
| Время спада | 60ns |
| Время задержки включения | 35ns |
| Время задержки выключения | 55ns |
| Drain current pulsed | 24A |
| Макс. темп. вывода | 300°C |
| Напр. диода | 1.4V |
| Мощн. рас. 25°C | 56W |
| Время обратного восстановления | 630ns |
| Gate threshold voltage | 3.0V to 5.0V |
| Input capacitance ciss | 1360pF |
| Power derate above 25c | 0.48W/°C |
| Gate source voltage vgs | 30V |
| Output capacitance coss | 110pF |
| Заряд обратного восстановления | 6.9µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain source voltage vds | 900V |
| Прямая крутизна | 5.5S |
| Gate body leakage forward | 100nA |
| Gate body leakage reverse | -100nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Drain source on resistance | 2.3Ω |
| Энергия лавины | 16.7mJ |
| Drain current continuous 25c | 6A |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 900V, 6A, 56W |
| Drain current continuous 100c | 3.8A |
| Avalanche energy single pulsed | 650mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 900V |
| Zero gate voltage drain current | 10µA |
| Reverse transfer capacitance crss | 11pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.25°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 1.07V/°C |
| Обратное напряжение, В | 900 |
| Прямой ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?