Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
502 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:502 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,03 |
| от 13 | 57,65 |
| от 25 | 55,72 |
| от 50 | 52,81 |
| от 100 | 49,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 600 В, ток до 4.5 А, мощность 33 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Количество | 50 units |
| Описание | N-Channel QFET MOSFET |
| Артикул | FQPF5N60C |
| Метод упаковки | трубка |
| Лавинный ток | 4.5A |
| Заряд сток-затвор | 6.6nC |
| Вх. емкость | 670pF |
| Полный заряд затвора | 19nC |
| Время нарастания | 90ns |
| Заряд затвор-исток | 2.5nC |
| Выходная емкость | 72pF |
| Время спада | 100ns |
| Время задержки включения | 30ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 85ns |
| Drain current pulsed | 18A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Время обратного восстановления | 300ns |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Power derate above 25c | 0.26W/°C |
| Power dissipation tc25 | 33W |
| Заряд обратного восстановления | 2.2µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 4.7S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Gate body leakage forward | 100nA |
| Gate body leakage reverse | -100nA |
| Drain source on resistance | 2.5Ω |
| Энергия лавины | 10mJ |
| Обратная проходная емкость | 8.5pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
| Drain current continuous tc25 | 4.5A |
| Drain current continuous tc100 | 2.6A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Max lead temperature soldering | 300°C |
| Single pulsed avalanche energy | 210mJ |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.6V/°C |
| Drain source diode forward voltage | 1.4V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.79°C/W |
| Zero gate voltage drain current tc125 | 10µA |
| Operating junction storage temperature | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Max pulsed drain source diode forward current | 18A |
| Max continuous drain source diode forward current | 4.5A |
| Обратное напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 4,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?