Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 47Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
176 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:176 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 132,84 |
| от 18 | 123,74 |
| от 36 | 116,32 |
| от 100 | 110,79 |
| от 150 | 106,67 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 900 В, ток до 4 А, мощность рассеивания 47 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Количество | 50 units |
| Описание | N-Channel QFET MOSFET |
| Артикул | FQPF4N90C |
| Метод упаковки | трубка |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 7.5nC |
| Вх. емкость | 960pF |
| Полный заряд затвора | 22nC |
| Время нарастания | 110ns |
| Заряд затвор-исток | 4.5nC |
| Выходная емкость | 85pF |
| Время спада | 80ns |
| Время задержки включения | 60ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 90ns |
| Drain current pulsed | 16A |
| Напряжение сток-исток | 900V |
| Время обратного восстановления | 450ns |
| Gate threshold voltage | 3.0 to 5.0V |
| Power derate above 25c | 0.38W/°C |
| Power dissipation tc25 | 47W |
| Заряд обратного восстановления | 3.5µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 5S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Gate body leakage forward | 100nA |
| Gate body leakage reverse | -100nA |
| Энергия лавины | 14mJ |
| Обратная проходная емкость | 7.3pF |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 900V, 4A, 47W |
| Drain current continuous tc25 | 4A |
| Drain current continuous tc100 | 2.3A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 900V |
| Max lead temperature soldering | 300°C |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Single pulsed avalanche energy | 570mJ |
| Static drain source on resistance | 4.2Ω |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 1.05V/°C |
| Drain source diode forward voltage | 1.4V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.66°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current vds900 | 10µA |
| Zero gate voltage drain current vds720 tc125 | 100µA |
| Max pulsed drain source diode forward current | 16A |
| Max continuous drain source diode forward current | 4A |
| Обратное напряжение, В | 900 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?