+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FQPF3N80C
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт

Артикул:771843
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
322 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:322 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 181,26
от 1079,58
от 1977,26
от 3773,74
от 10068,92
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на высокое рабочее напряжение и предназначен для применения в импульсных источниках питания и силовой электронике. Модель отличается пониженным сопротивлением открытого канала и выполнена в изолированном корпусе для упрощения монтажа.

Технические характеристики
КорпусTO-220F
Тип монтажаВыводной
ТехнологияN-Channel QFET MOSFET
Лавинный ток3A
Заряд сток-затвор5.8nC
Вх. емкость543pF
Полный заряд затвора13nC
Время нарастания43.5ns
Заряд затвор-исток3.4nC
Выходная емкость54pF
Время спада32ns
Время задержки включения15ns
Напряжение затвор-исток±30V
Время задержки выключения22.5ns
Drain current pulsed12A
Напряжение сток-исток800V
Напр. диода1.4V
Мощн. рас. 25°C39W
Время обратного восстановления642ns
Gate threshold voltage3.0V to 5.0V
Power derate above 25c0.31W/°C
Заряд обратного восстановления4.0μC
Тип упаковкиTube (туба)
Пиковое dv/dt восстановления диода4.5V/ns
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Drain source on resistance4.8Ω
Температура пайки выводов300°C
Энергия лавины10.7mJ
Drain current continuous 25c3A
Обратная проходная емкость5.5pF
Описание (англ.)N-MOS+D 800V, 1.8A, 39W
Drain current continuous 100c1.9A
Напряжение пробоя сток-исток800V
Single pulsed avalanche energy320mJ
Тепл. сопр. переход-корпус3.2°C/W
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Термосопротивление переход-среда62.5°C/W
Обратное напряжение, В800
Прямой ток, А3

Заметили ошибку в описании или параметрах?