Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
288 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:288 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 38,96 |
| от 33 | 37,96 |
| от 100 | 36,60 |
| от 150 | 34,75 |
| от 300 | 32,80 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 600 В, ток до 2 А, корпус TO-220F с изолированным фланцем. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Технология | N-Channel QFET MOSFET |
| Channel type | N-Channel |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | THT |
| Avalanche energy | 120mJ |
| Рассеиваемая мощность | 23W |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Макс. темп. вывода | 300°C |
| Импульсный ток стока | 8A |
| Входная емкость макс. | 235pF |
| Тип. входная емкость | 180pF |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8.5nC |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Макс. выходная емкость | 25pF |
| Выходная емкость тип. | 20pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Тип. время восст. | 230ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Тип. заряд восст. | 1.0µC |
| Длительный ток стока 25°C | 2A |
| Forward transconductance typ | 5.0S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F |
| Непрерывный ток стока 100°C | 1.35A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Макс. Rси вкл. | 4.7Ω |
| Reverse transfer capacitance max | 5.6pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 4.3pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 5.5°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?