Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
149 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:149 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,23 |
| от 13 | 58,41 |
| от 26 | 54,81 |
| от 50 | 52,16 |
| от 150 | 49,73 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 500 В, ток до 11 А, корпус TO-220F с изолированным фланцем. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Количество | 50 units |
| Описание | N-Channel QFET FRFET MOSFET |
| Артикул | FQPF11N50CF |
| Лавинный ток | 11A |
| Заряд сток-затвор | 19nC |
| Вх. емкость | 1515pF |
| Полный заряд затвора | 43nC |
| Время нарастания | 70ns |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 185pF |
| Время спада | 75ns |
| Время задержки включения | 24ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 120ns |
| Drain current pulsed | 44A |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Входная емкость макс. | 2055pF |
| Время обратного восстановления | 90ns |
| Заряд затвора макс. | 55nC |
| Turn on rise time max | 150ns |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Макс. выходная емкость | 235pF |
| Power derate above 25c | 0.39W/°C |
| Power dissipation tc25 | 48W |
| Turn off fall time max | 160ns |
| Время вкл. макс. | 57ns |
| Заряд обратного восстановления | 1.5µC |
| Макс. время выключения | 250ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 15S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Gate body leakage forward | 100nA |
| Gate body leakage reverse | -100nA |
| Энергия лавины | 19.5mJ |
| Обратная проходная емкость | 25pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 11A |
| Drain current continuous tc25 | 11A |
| Drain current continuous tc100 | 7A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Max lead temperature soldering | 300°C |
| Single pulsed avalanche energy | 670mJ |
| Zero gate voltage drain current | 10µA |
| Reverse transfer capacitance max | 30pF |
| Static drain source on resistance | 0.55Ω |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.5V/°C |
| Drain source diode forward voltage | 1.4V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.58°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.48Ω |
| Operating junction storage temperature | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Max pulsed drain source diode forward current | 44A |
| Max continuous drain source diode forward current | 11A |
| Напряжение, В | 500 |
| Ток, А | 11 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?