Документация
Транзистор FQPF10N60C
У поставщика
У поставщиков
67 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:67 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 177,57 |
| от 9 | 175,01 |
| от 17 | 171,74 |
| от 33 | 167,23 |
| от 100 | 161,17 |
Описание
Транзистор FQPF10N60C производства ON Semiconductor — это мощный полевой N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Компонент выполнен в корпусе TO-220F, что обеспечивает изоляцию и упрощает монтаж. Предназначен для применения в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и цепях управления нагрузкой, где требуются высокая эффективность и надежность переключения.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | QFET |
| Артикул | FQPF10N60C |
| Макс. время спада | 165ns |
| Тип. время спада | 77ns |
| Макс. время нарастания | 150ns |
| Тип. время нарастания | 69ns |
| Power derate factor | 0.4W/°C |
| Импульсный ток стока | 38A |
| Тип. заряд затвор-сток | 18.5nC |
| Входная емкость макс. | 2040pF |
| Тип. входная емкость | 1570pF |
| Заряд затвора макс. | 57nC |
| Тип. заряд затвора | 44nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 6.7nC |
| Макс. выходная емкость | 215pF |
| Выходная емкость тип. | 166pF |
| Время вкл. макс. | 55ns |
| Время задержки вкл. тип. | 23ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 300ns |
| Время задержки выкл. тип. | 144ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Power dissipation tc 25c | 50W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Тип. время восст. | 420ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Энергия лавины | 15.6mJ |
| Тип. заряд восст. | 4.2µC |
| Forward transconductance typ | 8.0S |
| Pulsed diode forward current | 38A |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 9.5A 50W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Single pulsed avalanche energy | 700mJ |
| Continuous drain current tc 25c | 9.5A |
| Test condition on resistance id | 4.75A |
| Continuous diode forward current | 9.5A |
| Continuous drain current tc 100c | 5.7A |
| Reverse transfer capacitance max | 24pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 18pF |
| Test condition on resistance vgs | 10V |
| Gate body leakage current forward | 100nA |
| Gate body leakage current reverse | -100nA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 10µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.73Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.6Ω |
| Drain source diode forward voltage max | 1.4V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.7V/°C |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?