Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
684 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт104,35 ₽
Сумма1 043,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии684 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 14 — 101,64 ₽ (−3%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 043,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 256,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 043,50 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный FQP4N90C от ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor). Выполнен в корпусе TO-220, рассчитан на напряжение сток-исток 900 В, ток 4 А и мощность рассеивания до 140 Вт. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Бренд | Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | N-Channel QFET MOSFET, 900V, 4.0A, 4.2 Ohm |
| Артикул | FQP4N90C |
| Макс. время спада | 80ns |
| Тип. время спада | 35ns |
| Макс. время нарастания | 110ns |
| Тип. время нарастания | 50ns |
| Лавинный ток | 4A |
| Время нарастания | 50ns (typ), 110ns (max) |
| Время спада | 35ns (typ), 80ns (max) |
| Время задержки включения | 25ns (typ), 60ns (max) |
| Alternative package | TO-220F |
| Время задержки выключения | 40ns (typ), 90ns (max) |
| Импульсный ток стока | 16A |
| Напряжение сток-исток | 900V |
| Импульсный ток стока | 16A |
| Общий заряд затвора (Qg) | 17nC (typ), 22nC (max) |
| Лавинный ток IAR | 4A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 7.5nC (typ) |
| Тип. заряд затвор-сток | 7.5nC |
| Входная емкость макс. | 960pF |
| Тип. входная емкость | 740pF |
| Мощн. рас. 25°C | 140W |
| Заряд затвора макс. | 22nC |
| Тип. заряд затвора | 17nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 4.5nC (typ) |
| Тип. заряд затвор-исток | 4.5nC |
| Пороговое напряжение затвора | 3.0V to 5.0V |
| Входная ёмкость Ciss | 740pF (typ), 960pF (max) |
| Макс. выходная емкость | 85pF |
| Выходная емкость тип. | 65pF |
| Power derate above 25c | 1.12W/°C |
| Время вкл. макс. | 60ns |
| Время задержки вкл. тип. | 25ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Напряжение затвор-исток, В | ±30V |
| Выходная ёмкость Coss | 65pF (typ), 85pF (max) |
| Макс. время выключения | 90ns |
| Время задержки выкл. тип. | 40ns |
| Напряжение сток-исток, В | 900V |
| Прямая крутизна | 5S |
| Макс. температура выводов | 300°C |
| Power dissipation derate | 1.12W/°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Время обратного восстановления | 450ns (typ) |
| Тип. время восст. | 450ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Энергия лавины | 14mJ |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 3.5µC (typ) |
| Тип. заряд восст. | 3.5µC |
| Длительный ток стока 25°C | 4A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 4A |
| Тип. прямая крутизна | 5S |
| Непрерывный ток стока 100°C | 2.3A |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 2.3A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 900V |
| Макс. Rси вкл. | 4.2Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 3.5Ω |
| Температура выводов при пайке | 300°C for 5 seconds |
| Энергия одиночного лавинного импульса | 570mJ |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 14mJ |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.5°C/W |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 10µA (max) at 25°C, 100µA (max) at 125°C |
| Макс. проходная ёмкость | 7.3pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 5.6pF |
| Gate body leakage current forward | 100nA |
| Gate body leakage current reverse | -100nA |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 5.6pF (typ), 7.3pF (max) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 4.2Ω (max) at VGS=10V, ID=2A |
| Прямое напряжение диода сток-исток | 1.4V (max) |
| Single pulsed avalanche energy eas | 570mJ |
| Case to sink thermal resistance typ | 0.5°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.89°C/W |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 10µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Gate body leakage current forward max | 100nA |
| Gate body leakage current reverse max | -100nA |
| Pulsed drain source diode current max | 16A |
| Макс. прямое напряжение диода сток-исток | 1.4V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.89°C/W |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Темп. коэфф. напряжения пробоя | 1.05V/°C |
| Continuous drain source diode current max | 4A |
| Макс. тепловое сопротивление переход–среда | 62.5°C/W |
| Maximum pulsed drain source diode forward current | 16A |
| Maximum continuous drain source diode forward current | 4A |
| Напряжение, В | 900 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?