Документация
FQD7P20TM, Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 5.7 А ON Semiconductor (арт. 307047)
У поставщика
ПроизводительONSemiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 000 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:5 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,70 |
Описание
FQD7P20TM — это P-канальный полевой транзистор (MOSFET) от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение 200 В и ток 5.7 А, что делает его подходящим для высоковольтных схем с верхним плечом. Применяется в импульсных источниках питания, драйверах двигателей и цепях управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Ток | 5.7 А |
| Ток, А | -5.7A |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Напряжение, В | -200V |
| Тип монтажа | SMD |
| Сопротивление | 690mΩ |
| Технология | QFET |
| Ёмкость | 25pF |
| Gate charge | 19nC |
| Channel type | P-Channel |
| Корпус | DPAK |
| Монтаж | SMD |
| Drain current | -5.7A |
| On resistance | 690mΩ |
| Gate charge total | 19nC |
| Темп. диапазон | -55°C to +150°C |
| Напряжение сток-исток | -200V |
| Напряжение | 200 В |
| Обратная проходная емкость | 25pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.27 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 110 °C/W (minimum pad), 50 °C/W (1 in² pad) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?