Документация
Оптопара транзисторная одноканальная 5.0кВ /70В 0.05A Кус=130…260% 0.2Вт -55...+110°C
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
1 189 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 189 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 38 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,92 |
| от 66 | 18,12 |
| от 200 | 17,10 |
| от 300 | 15,90 |
| от 600 | 14,85 |
Описание
Оптопара транзисторная одноканальная от ON Semiconductor. Выдерживает напряжение изоляции 5 кВ, ток до 0,05 А и напряжение коллектор-эмиттер 70 В. Коэффициент передачи тока составляет 130–260%, корпус DIP-4. Применяется в промышленной автоматике и блоках питания для гальванической развязки цепей.
Технические характеристики
| Серия | FOD817 |
| Корпус | DIP-4 |
| Тип монтажа | THT |
| Сертификаты | C-UL, UL, VDE |
| Кол-во выводов | 4 |
| Описание | 4-Pin High Operating Temperature Phototransistor Optocoupler |
| Артикул | FOD817B |
| Прямое напряжение | 1.2 V typ, 1.4 V max at IF=20mA |
| Частота среза | 15 kHz min, 80 kHz typ at VCE=5V, IC=2mA, RL=100 Ohm |
| Response time fall | 3 µs typ, 18 µs max at VCE=2V, IC=2mA, RL=100 Ohm |
| Response time rise | 4 µs typ, 18 µs max at VCE=2V, IC=2mA, RL=100 Ohm |
| Темп. хранения | -55 to +150 °C |
| Сопр. изоляции | 5x10^10 to 1x10^11 Ohm |
| Темп. перехода | 125 °C max |
| Terminal capacitance | 30 pF typ, 250 pF max at VF=0, f=1kHz |
| Емк. изоляции | 0.6 to 1.0 pF |
| Раб. температура | -55 to +110 °C |
| Collector dark current | 100 nA max at VCE=20V, IF=0 |
| Current transfer ratio | 130 to 260 % at IF=5mA, VCE=5V |
| Emitter reverse voltage | 6 V |
| Температура пайки выводов | 260 °C for 10 sec |
| Обратный ток утечки | 10 µA max at VR=4.0V |
| Общая рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Detector derate above 90C | 2.9 mW/°C |
| Emitter derate above 100C | 1.7 mW/°C |
| Мощность эмиттера | 70 mW |
| Описание (англ.) | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Black Box |
| Input output isolation voltage | 5000Vrms |
| Detector collector emitter voltage | 70 V |
| Detector emitter collector voltage | 6 V |
| Emitter continuous forward current | 50 mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70 V min at IC=0.1mA, IF=0 |
| Emitter collector breakdown voltage | 6 V min at IE=10µA, IF=0 |
| Junction to case thermal resistance | 210 °C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V typ, 0.2 V max at IF=20mA, IC=1mA |
| Detector collector power dissipation | 150 mW |
| Detector continuous collector current | 50 mA |
| Рабочая температура | -55...+110C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?