Документация
Фоторезистор FOD814ASD
У поставщика
У поставщиков
3 967 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:3 967 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 44,13 |
| от 98 | 39,95 |
| от 165 | 37,58 |
| от 271 | 35,71 |
| от 453 | 34,33 |
Описание
Оптопара FOD814ASD от ONS-FAIR — фототранзисторный оптрон в корпусе DIP с 4 выводами. Выдерживает напряжение изоляции не менее 0,4 мм, коэффициент передачи тока от 50% до 150%, максимальное напряжение коллектор-эмиттер 70 В. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Dti | ≥0.4mm |
| Ctr max | 150% |
| Ctr min | 50% |
| Корпус | DIP 4-Pin |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1-0.2V |
| Макс. Ptot | 200mW |
| Макс. температура | 105°C |
| Мин. температура | -55°C |
| Theta jc | 210°C/W |
| Bvceo min | 70V |
| Emitter pd | 70mW |
| Emitter vf | 1.2-1.4V |
| Описание | 4-Pin DIP Phototransistor Optocoupler with gallium arsenide infrared emitting diode |
| Detector pc | 150mW |
| Тип устройства | Phototransistor Optocoupler |
| Emitter vr max | 6V |
| Метод упаковки | Tube (100 units per tube) |
| Стандарт безопасности | UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5 |
| Lead solder temp | 260°C for 10 seconds |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Creepage external | ≥7mm |
| Detector vceo min | 70V |
| Detector veco max | 6V |
| Напр. изоляции | 5000VACRMS |
| Макс. температура перехода | 125°C |
| Clearance external | ≥7mm |
| Response time fall | 3-18µs |
| Response time rise | 4-18µs |
| Ctr test conditions | IF = ±1mA, VCE = 5V |
| Сопр. изоляции | 5×10^10-1×10^11Ω |
| Emitter if continuous | 50mA |
| Емк. изоляции | 0.6-1.0pF |
| Detector ic continuous | 50mA |
| Emitter ct capacitance | 30-250pF |
| Isolation test duration | 1 minute |
| Vce sat test conditions | IF = ±20mA, IC = 1mA |
| Detector iceo dark current | 100nA |
| Detector pc derate above 90c | 2.9mW/°C |
| Emitter pd derate above 100c | 1.7mW/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?