Документация
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
4 804 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 804 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 26 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 27,26 |
| от 126 | 24,92 |
| от 252 | 23,06 |
| от 503 | 21,44 |
| от 1 000 | 20,36 |
Описание
Оптоизолятор ON Semiconductor FOD814ASD с транзисторным выходом обеспечивает гальваническую развязку до 5 кВ. Компонент выполнен в компактном корпусе SMDIP-4 и работает в широком диапазоне температур от -55 до +105 °C. Подходит для промышленной автоматики, систем управления питанием и интерфейсов связи.
Технические характеристики
| Серия | FOD814 |
| Корпус | SMDIP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип входа | AC Input Response |
| Описание | 4-Pin DIP Phototransistor Optocoupler |
| Тип выхода | Phototransistor |
| Артикул | FOD814ASD |
| Степень загрязнения | 2 |
| Одобр. безоп. | UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5 |
| External creepage | ≥7mm |
| Напр. изоляции | 5000VAC |
| External clearance | ≥7mm |
| Макс. обратный ток | 10µA |
| Input reverse voltage | 6V |
| Сопр. изоляции | >10^11 Ω |
| Current transfer ratio | 50-150% |
| Climatic classification | 30/110/21 |
| Input derate above 100c | 1.7mW/°C |
| Рассеиваемая мощность входа | 70mW |
| Температура пайки выводов | 260°C for 10s |
| Output derate above 90c | 2.9mW/°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. емкость вывода | 250pF |
| Terminal capacitance typ | 50pF |
| Макс. прямое вх. напр. | 1.4V |
| Input forward voltage typ | 1.2V |
| Output power safety limit | 700mW |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Индекс трекингостойкости | 175 |
| Input current safety limit | 400mA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +125°C |
| Distance through insulation | ≥0.4mm |
| External clearance option w | ≥10mm |
| Диап. раб. темп. | -55 to +105°C |
| Описание (англ.) | OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD |
| Case temperature safety limit | 175°C |
| Collector emitter voltage min | 70V |
| Highest allowable over voltage | 8000V peak |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Input continuous forward current | ±50mA |
| Output collector emitter voltage | 70V |
| Output emitter collector voltage | 6V |
| Maximum working insulation voltage | 850V peak |
| Output collector power dissipation | 150mW |
| Junction to case thermal resistance | 210°C/W |
| Output continuous collector current | 50mA |
| Input to output test voltage method a | 1360V peak |
| Input to output test voltage method b | 1560V peak |
| Рабочая температура | -55°C ~ 105°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?