Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 60Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
103 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:103 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 97,13 |
| от 9 | 91,68 |
| от 18 | 86,55 |
| от 35 | 82,78 |
| от 100 | 79,30 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от FUJI ELECTRIC. Рабочее напряжение 500 В, ток до 12 А, мощность рассеивания 60 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | Super FAP-E |
| Корпус | TO-220F(SLS) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип устройства | N-Channel Silicon Power MOSFET |
| Артикул | FMV12N50E |
| Производитель | Fuji Electric |
| Fall time tf max | 27ns |
| Fall time tf typ | 18ns |
| Rise time tr max | 13.5ns |
| Rise time tr typ | 9ns |
| Avalanche current iar | 12A |
| Isolation voltage viso | 2kVrms |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Gate source voltage vgs | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Avalanche capability iav | 12A |
| Drain source voltage vds | 500V |
| Peak diode recovery didt | 100A/µs |
| Peak diode recovery dvdt | 6.5kV/µs |
| Pulsed drain current idp | ±48A |
| Total gate charge qg max | 70.5nC |
| Total gate charge qg typ | 47nC |
| Drain source voltage vdsx | 500V |
| Gate drain charge qgd max | 21nC |
| Gate drain charge qgd typ | 14nC |
| Power dissipation pd ta25 | 2.16W |
| Power dissipation pd tc25 | 60W |
| Gate source charge qgs max | 16nC |
| Gate source charge qgs typ | 10.5nC |
| Input capacitance ciss max | 2400pF |
| Input capacitance ciss typ | 1600pF |
| Continuous drain current id | ±12A |
| Output capacitance coss max | 240pF |
| Output capacitance coss typ | 160pF |
| Turn on delay time td on max | 30ns |
| Turn on delay time td on typ | 20ns |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 12A 60W |
| Operating storage temperature | -55 to +150°C |
| Reverse recovery time trr typ | 0.36µs |
| Turn off delay time td off max | 150ns |
| Turn off delay time td off typ | 100ns |
| Repetitive avalanche energy ear | 6.0mJ |
| Reverse recovery charge qrr typ | 4.1µC |
| Diode forward on voltage vsd max | 1.32V |
| Diode forward on voltage vsd typ | 0.88V |
| Forward transconductance gfs min | 6.5S |
| Forward transconductance gfs typ | 13S |
| Gate threshold voltage vgs th max | 3.5V |
| Gate threshold voltage vgs th min | 2.5V |
| Gate threshold voltage vgs th typ | 3.0V |
| Non repetitive avalanche energy eas | 400mJ |
| Drain source breakdown voltage bvdss | 500V |
| Gate source leakage current igss max | 100nA |
| Drain source on resistance rds on max | 0.52Ω |
| Drain source on resistance rds on typ | 0.444Ω |
| Reverse transfer capacitance crss max | 17.5pF |
| Reverse transfer capacitance crss typ | 11.5pF |
| Zero gate voltage drain current idss max | 250µA |
| Thermal resistance channel to case rth ch c | 2.083°C/W |
| Thermal resistance channel to ambient rth ch a | 58.0°C/W |
| Напряжение, В | 500 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?