Документация
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
8 762 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,51 ₽
Сумма755,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии8 762 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 951 — 1,40 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 755,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 545,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 755,00 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор от DIODES рассчитан на напряжение до 300 В и ток до 0.2 А. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3, подходит для поверхностного монтажа. Применяется в цепях управления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP high voltage transistor |
| Вес | 0.008 grams (approximate) |
| Маркировка | 4E |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Паяемость | per MIL-STD-202, Method 208 |
| Артикул | FMMTA92TA |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Стандарт качества | AEC-Q101 |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads |
| Модель машины ЭСР | 400V |
| Размеры упаковки | A max: 0.51mm; A min: 0.37mm; B max: 1.40mm; B min: 1.20mm; C max: 2.50mm; C min: 2.30mm; D max: 1.03mm; D min: 0.89mm; F max: 0.60mm; F min: 0.45mm; G max: 2.05mm; G min: 1.78mm; H max: 3.00mm; H min: 2.80mm; J max: 0.10mm; J min: 0.013mm; K max: 1.00mm; K min: 0.890mm; L max: 0.61mm; Мин. L: 0.45mm; M max: 0.150mm; M min: 0.085mm; K1 max: 1.10mm; K1 min: 0.903mm; L1 max: 0.55mm; L1 min: 0.25mm; A angle: 0° to 8° |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| ESD HBM | 4000V |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 2.0mm; X: 0.8mm; Y: 0.9mm; X1: 1.35mm; Y1: 2.9mm |
| Коэфф. усиления DC hFE1 | 25 (min) at IC=-1mA, VCE=-10V |
| Коэфф. усиления DC hFE2 | 40 (min) at IC=-10mA, VCE=-10V |
| Коэфф. усиления DC hFE3 | 25 (min) at IC=-30mA, VCE=-10V |
| Выходная ёмкость (Cobo) | 6pF (max) at VCB=-20V, f=1MHz |
| Граничная частота ft | 50MHz (min) at VCE=-20V, IC=-10mA, f=20MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Рассеиваемая мощность Pd, прим. 5 | 310mW |
| Рассеиваемая мощность Pd, прим. 6 | 350mW |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -300V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -0.10nA (max) at VEB=-3V |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.25µA (max) at VCB=-160V or -200V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -300V |
| Continuous collector current ic | -200mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база (BVEBO) | -5V (min) at IE=-100µA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat | -0.9V (max) at IC=-20mA, IB=-2mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | -300V (min) at IC=-100µA |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55°C to +150°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | -300V (min) at IC=-1mA |
| Тепловое сопротивление переход-вывод RθJL | 350°C/W |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V (max) at IC=-20mA, IB=-2mA |
| Thermal resistance junction to ambient rθja note5 | 403°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient rθja note6 | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?