Документация
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
8 762 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 762 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 360 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,21 |
| от 157 | 1,92 |
| от 238 | 1,70 |
| от 476 | 1,56 |
| от 951 | 1,45 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор от DIODES рассчитан на напряжение до 300 В и ток до 0.2 А. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3, подходит для поверхностного монтажа. Применяется в цепях управления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP high voltage transistor |
| Вес | 0.008 grams (approximate) |
| Маркировка | 4E |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Solderable | per MIL-STD-202, Method 208 |
| Артикул | FMMTA92TA |
| Корпус | SOT23-3 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Quality standard | AEC-Q101 |
| Terminals finish | Matte Tin Plated Leads |
| Модель машины ЭСР | 400V |
| Размеры упаковки | A max: 0.51mm; A min: 0.37mm; B max: 1.40mm; B min: 1.20mm; C max: 2.50mm; C min: 2.30mm; D max: 1.03mm; D min: 0.89mm; F max: 0.60mm; F min: 0.45mm; G max: 2.05mm; G min: 1.78mm; H max: 3.00mm; H min: 2.80mm; J max: 0.10mm; J min: 0.013mm; K max: 1.00mm; K min: 0.890mm; L max: 0.61mm; L min: 0.45mm; M max: 0.150mm; M min: 0.085mm; K1 max: 1.10mm; K1 min: 0.903mm; L1 max: 0.55mm; L1 min: 0.25mm; A angle: 0° to 8° |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| ESD HBM | 4000V |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Suggested pad layout | C: 2.0mm; X: 0.8mm; Y: 0.9mm; X1: 1.35mm; Y1: 2.9mm |
| Dc current gain hfe 1 | 25 (min) at IC=-1mA, VCE=-10V |
| Dc current gain hfe 2 | 40 (min) at IC=-10mA, VCE=-10V |
| Dc current gain hfe 3 | 25 (min) at IC=-30mA, VCE=-10V |
| Output capacitance cobo | 6pF (max) at VCB=-20V, f=1MHz |
| Граничная частота ft | 50MHz (min) at VCE=-20V, IC=-10mA, f=20MHz |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Power dissipation pd note5 | 310mW |
| Power dissipation pd note6 | 350mW |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -300V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -0.10nA (max) at VEB=-3V |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.25µA (max) at VCB=-160V or -200V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -300V |
| Continuous collector current ic | -200mA |
| Emitter base breakdown voltage bvebo | -5V (min) at IE=-100µA |
| Base emitter saturation voltage vbesat | -0.9V (max) at IC=-20mA, IB=-2mA |
| Collector base breakdown voltage bvcbo | -300V (min) at IC=-100µA |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55°C to +150°C |
| Collector emitter breakdown voltage bvceo | -300V (min) at IC=-1mA |
| Thermal resistance junction to lead rθjl | 350°C/W |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V (max) at IC=-20mA, IB=-2mA |
| Thermal resistance junction to ambient rθja note5 | 403°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient rθja note6 | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?