Документация
Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 917 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт18,30 ₽
Сумма915,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 917 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 108 — 16,40 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 915,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 385,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 915,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор FMMT624TA от DIODES. Выдерживает напряжение до 125 В и ток до 1 А при мощности 625 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных устройствах коммутации.
Технические характеристики
| ESD (мм) | ≥400V |
| Вес | 0.008g |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | FMMT624TA |
| Описание | 125V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Ширина ленты мм | 8 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток базы, Iб | 500mA |
| Маркировка | 624 |
| Тип транзистора | NPN |
| Размер катушки, дюйм | 7 |
| Turn on time ton | 60ns |
| Кол-во на катушке | 3000 |
| AEC-Q101 | Да |
| Turn off time toff | 1300ns |
| Рассеиваемая мощность Pd | 625mW |
| Ul flamability rating | 94V-0 |
| Peak pulse current icm | 3A |
| Макс. коэффициент усиления по току | 400 |
| Hfe мин. | 200 |
| Power dissipation pd 5s | 806mW |
| Граничная частота ft | 155MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Dc current gain hfe ic 2a | 100 |
| Dc current gain hfe ic 3a | 18 |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 125V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA |
| Описание (англ.) | NPN 125V 1A 625mW Automotive |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 100nA |
| Рабочая и температура хранения | -55 to +150°C |
| Base emitter on voltage vbe on | 1.0V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 125V |
| Continuous collector current ic | 1A |
| Collector output capacitance cobo | 15pF |
| Напряжение пробоя эмиттер-база (BVEBO) | 7V |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, Ices | 100nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | 125V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) | 1.0V |
| Thermal resistance junction leads rthjl | 194°C/W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | 125V |
| Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) | 200°C/W |
| Thermal resistance junction ambient rthja 5s | 155°C/W |
| Collector emitter saturation voltage vce sat 1a | 250mV |
| Collector emitter saturation voltage vce sat 100ma | 50mV |
| Collector emitter saturation voltage vce sat 500ma | 125mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?