+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FMMT593TA
Документация

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А

Артикул:792016
У поставщика
ПроизводительDIODES
У поставщиков
2 838 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 122,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 178,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 1 122,00 ₽
Описание

Биполярный PNP-транзистор от DIODES рассчитан на напряжение 100 В и ток до 1 А. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3 для поверхностного монтажа. Подходит для схем коммутации и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипPNP High Voltage Transistor
Вес0.008g
Маркировка593
КорпусSOT23
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Размер катушки7 inches
Покрытие выводовMatte Tin Plated
ПрименениеHigh-side driver, Load disconnect switch, Motor drive
Без галогеновДа
Без сурьмыДа
КонфигурацияSingle
Количество в катушке3000 (7 inch reel)
Соотв. RoHSДа
Комплементарный NPNFMMT493
Рассеиваемая мощность500mW
AEC-Q101Да
Размеры упаковки2.80mm x 1.30mm x 0.40mm (typical) or see datasheet for full dimensions
Hfe мин.100 (at 1mA, VCE=-5V), 100 (at 250mA, VCE=-5V), 50 (at 1A, VCE=-5V)
Класс горючестиUL 94V-0
Частота перехода50MHz
Макс. выходная емкость5pF
Пиковый ток коллектора-2A
Continuous base current-200mA
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база макс.-7V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.-120V
Макс. ток отсечки эмиттера-100nA
Уровень чувствительности к влаге1
Диап. раб. темп.-55°C to +150°C
Макс. ток отсечки коллектора-100nA
Постоянный ток коллектора-1A
Описание (англ.)TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
Макс. напр. К-Э-100V
Base emitter turn on voltage max-1.0V (IC=-1mA, VCE=-5V)
Breakdown voltage emitter base min-7V
Макс. Uбэ нас.-1.1V (IC=-500mA, IB=-50mA)
Тепловое сопротивление переход-вывод197°C/W
Breakdown voltage collector base min-120V
Макс. ток отсечки коллектор-эмиттер-100nA
Термосопротивление переход-среда250°C/W
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер-100V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.-200mV (IC=-250mA, IB=-25mA), -300mV (IC=-500mA, IB=-50mA)

Заметили ошибку в описании или параметрах?