Документация
Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
7 769 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт24,51 ₽
Сумма612,75 ₽
В наличии1 854 шт
от 25 штюрлицам и ИП
от 155 — 21,77 ₽ (−11%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии5 915 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
продаётся от 50 штпри 50 — 14,62 ₽
25 шт · Склад 39 · 612,75 ₽
Описание
Биполярный NPN транзистор FMMT495TA от DIODES. Выдерживает напряжение до 150 В и ток до 1 А, выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| ESD (мм) | >=400V |
| Вес | 0.008 grams |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размеры | A: 0.37-0.51mm; B: 1.20-1.40mm; C: 2.30-2.50mm; D: 0.89-1.03mm; F: 0.45-0.60mm; G: 1.78-2.05mm; H: 2.80-3.00mm; Плотность тока: 0.013-0.10mm; K: 0.890-1.00mm; L: 0.45-0.61mm; M: 0.085-0.150mm; K1: 0.903-1.10mm; L1: 0.25-0.55mm; Angle a: 0-8 degrees |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | 495 |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток базы, Iб | 200mA |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated Leads |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Рассеиваемая мощность Pd | 500mW |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 2.0mm; X: 0.8mm; Y: 0.9mm; X1: 1.35mm; Y1: 2.9mm |
| Peak pulse current icm | 2A |
| Выходная ёмкость (Cobo) | 10pF |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 170V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 150V 1A SOT23-3 |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 150V |
| Continuous collector current ic | 1A |
| Base emitter turn on voltage vbe on | 1.0V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база (BVEBO) | 7V |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, Ices | 100nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | 170V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) | 1.0V |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | 150V |
| Тепловое сопротивление переход-вывод RthJL | 197°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat) | 0.2V to 0.3V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 250°C/W |
| Static forward current transfer ratio hfe max | 300 |
| Static forward current transfer ratio hfe min | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?