Документация
Транзистор FMH23N50E
У поставщика
У поставщиков
238 шт.
Норм. уп.: 20
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 217,27 |
| от 6 | 210,97 |
| от 12 | 207,83 |
| от 25 | 204,68 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:15 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 217,27 |
| от 6 | 210,97 |
| от 12 | 207,83 |
| от 25 | 204,68 |
Склад 13
В наличии:223 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 231,21 |
| от 11 | 216,89 |
| от 21 | 205,21 |
| от 60 | 196,52 |
| от 90 | 190,05 |
Описание
Транзистор FMH23N50E производства FUJI ELECTRIC — мощный полевой MOSFET с изолированным затвором. Компонент предназначен для высоковольтных схем, обеспечивая эффективное переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и силовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-3P(Q) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V; 23A; 315W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?