Документация
Транзистор FMH23N50E
У поставщика
У поставщиков
208 шт.
Норм. уп.: 30
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 183,98 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:15 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 183,98 |
Склад 13
В наличии:193 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 239,00 |
| от 10 | 224,38 |
| от 20 | 212,47 |
| от 60 | 203,61 |
| от 90 | 197,01 |
Описание
Транзистор FMH23N50E производства FUJI ELECTRIC — мощный полевой MOSFET с изолированным затвором. Компонент предназначен для высоковольтных схем, обеспечивая эффективное переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Silicon Power MOSFET |
| Серия | Super FAP-E series |
| Корпус | TO-3P(Q) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Применение | Switching regulators, UPS (Uninterruptible Power Supply), DC-DC converters |
| Fall time tf | 20ns typ, 30ns max |
| Производитель | Fuji Electric |
| Rise time tr | 13ns typ, 19.5ns max |
| Total gate charge qg | 93nC typ, 139.5nC max |
| Gate drain charge qgd | 30nC typ, 45nC max |
| Gate source charge qgs | 11nC typ, 16.5nC max |
| Input capacitance ciss | 3500pF typ, 5250pF max |
| Gate source voltage vgs | ±30V |
| Output capacitance coss | 330pF typ, 495pF max |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Avalanche capability iav | 23A |
| Drain source voltage vds | 500V |
| Max power dissipation pd | 315W |
| Pulsed drain current idp | ±92A |
| Turn on delay time td on | 24ns typ, 36ns max |
| Drain source voltage vdsx | 500V |
| Peak diode recovery di dt | 100A/µs |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 9.3kV/µs |
| Reverse recovery time trr | 0.5µs typ |
| Turn off delay time td off | 150ns typ, 225ns max |
| Continuous drain current id | ±23A |
| Reverse recovery charge qrr | 8µC typ |
| Diode forward on voltage vsd | 0.90V typ, 1.35V max |
| Forward transconductance gfs | 14S min, 28S typ |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V; 23A; 315W |
| Gate threshold voltage vgs th | 2.5V min, 3.0V typ, 3.5V max |
| Диапазон температур хранения | -55 to +150°C |
| Gate source leakage current igss | 100nA max |
| Reverse transfer capacitance crss | 24pF typ, 36pF max |
| Operating junction temperature tch | 150°C |
| Repetitive max avalanche energy ear | 31.5mJ |
| Drain source breakdown voltage bvdss | 500V |
| Zero gate voltage drain current idss | 250µA max |
| Drain source on state resistance rds on | 0.21Ω typ, 0.245Ω max |
| Non repetitive max avalanche energy eas | 767.3mJ |
| Thermal resistance channel to case rth ch c | 0.40°C/W |
| Thermal resistance channel to ambient rth ch a | 50.0°C/W |
| Repetitive and non repetitive max avalanche current iar | 23A |
| Напряжение, В | 500 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?