Документация
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 2Mбит 40МГц 8TDFN
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
895 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:895 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 088,39 |
| от 10 | 1 044,26 |
| от 19 | 1 014,74 |
| от 37 | 988,76 |
| от 73 | 971,21 |
Описание
Сегнетоэлектрическое ОЗУ (F-RAM) от Infineon объёмом 2 Мбит. Работает при напряжении от 2,0 до 3,6 В, частота SPI-интерфейса до 40 МГц. Выдерживает 10¹⁴ циклов перезаписи и сохраняет данные до 151 года. Применяется в промышленной автоматике и системах учёта, где важна высокая надёжность хранения данных.
Технические характеристики
| Корпус | 8-TDFN |
| Тип монтажа | SMD |
| Device id | Manufacturer ID and Product ID |
| Ресурс | 100 trillion (10^14) write/read cycles |
| Интерфейс | SPI |
| Кол-во выводов | 8 |
| Spi modes | 0 (0,0) and 3 (1,1) |
| Технология | F-RAM (Ferroelectric RAM) |
| Объем памяти | 2 Mbit (256 K x 8) |
| Тип памяти | F-RAM |
| Макс. напряжение | 3.6 V |
| Напряжение мин. | 2.0 V |
| Макс. частота | 40 MHz |
| Sleep current | 3 μA |
| Active current | 300 μA (at 1 MHz) |
| Сохранение данных | 151 years |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток в режиме ожидания | 100 μA (typ) |
| Макс. температура | +85°C |
| Температура мин. | -40°C |
| Write protection | Hardware (WP pin) and software |
| Sleep mode current | 3µA |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.0V |
| Макс. такт. частота | 40MHz |
| Организация памяти | 256K x 8 |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?