Документация
FM25V10-GTR, микросхема памяти SO8
У поставщика
ПроизводительRAMTRON
У поставщиков
340 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:340 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 621,00 |
| от 3 | 596,54 |
Описание
Микросхема памяти F-RAM от RAMTRON в корпусе SO8. Объём 1 Мбит с организацией 128K × 8, работает по интерфейсу SPI с частотой до 40 МГц. Напряжение питания от 2,0 до 3,6 В, активный ток всего 300 мкА. Подходит для промышленной автоматики и систем, где важна высокая надёжность записи данных.
Технические характеристики
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | SPI |
| Объем памяти | 1Mbit |
| Макс. напряжение | 3.6V |
| Напряжение мин. | 2.0V |
| Организация | 128K × 8 |
| Тип упаковки | SOIC-8 |
| Корпус | SO8 |
| Current sleep | 5µA |
| Макс. частота | 40MHz |
| Ток актив. | 300µA |
| Сохранение данных | 151 years |
| Соотв. RoHS | Да |
| Current standby | 90µA |
| Макс. температура | 85°C |
| Температура мин. | -40°C |
| Memory technology | F-RAM |
| Тип памяти | FRAM |
| Write endurance cycles | 10^14 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?