+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FM25V10-GTR
Документация

FM25V10-GTR, Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC

Артикул:1215510
У поставщика
ПроизводительCYPRESS
У поставщиков
130 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1569,25
от 10553,16
Описание

FM25V10-GTR от CYPRESS — это сегнетоэлектрическое ОЗУ (F-RAM) объемом 1 Мбит с интерфейсом SPI. Работает при напряжении от 2,0 до 3,6 В и частоте до 40 МГц, отличается высокой надежностью: до 10¹⁴ циклов перезаписи и сохранением данных более 150 лет. Подходит для промышленной автоматики и систем сбора данных.

Технические характеристики
Корпус8-SOIC
Тип монтажаSMD
ИнтерфейсSPI
Кол-во выводов8
Spi modesMode 0 and Mode 3
TechnologyFRAM (Ferroelectric RAM)
ТехнологияF-RAM
Memory Size1Mbit
Memory TypeNon-Volatile
Объем памяти1-Mbit (128K x 8)
Макс. напряжение3.6V
Напряжение мин.2.0V
Memory FormatFRAM
Mounting TypeSurface Mount
Макс. частота40 MHz
Sleep current5 µA
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Сохранение данных151 years
Clock Frequency40 MHz
Write endurance10^14 cycles
Memory InterfaceSPI
Voltage - Supply2V ~ 3.6V
ОписаниеIC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Темп. диапазон-40°C to +85°C
Memory Organization128K x 8
DigiKey ProgrammableNot Verified
Диапазон питания2.0V to 3.6V
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Входная емкость макс.7 pF
Тепловое сопротивление JA165 °C/W
Active current typical300 µA
Макс. выходная емкость8 pF
Supplier Device Package8-SOIC
Типовой ток в режиме ожидания90 µA
Active current conditionat 1 MHz

Заметили ошибку в описании или параметрах?