
Документация
Микросхема FM25V05-GTR
У поставщика
У поставщиков
8 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 869,40 |
| от 3 | 831,81 |
Описание
Микросхема ферроэлектрической памяти FM25V05-GTR от CYPRESS. Работает от напряжения 2…3,6 В, использует интерфейс SPI и выпускается в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Диапазон рабочих температур от -40 до +85 °С. Применяется в промышленной автоматике и системах сбора данных.
Технические характеристики
| Тип | М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V |
| Вес | 0.12 |
| В упаковке | REEL, 2500 шт. |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOIC-8 (SMD) |
| Интерфейс | SPI |
| Рабочая температура | -40…+85 °С |
| Объем памяти | 512-Kbit |
| Макс. напряжение | 3.6V |
| Напряжение мин. | 2.0V |
| Организация | 64 K × 8 |
| Тип упаковки | 8-pin SOIC |
| Корпус | SO8 |
| Макс. частота | 40MHz |
| Sleep current | 5µA |
| Active current | 300µA |
| Ток в режиме ожидания | 90µA |
| Макс. температура | 85°C |
| Температура мин. | -40°C |
| Циклы стойкости | 100 trillion (10^14) read/writes |
| Диап. вх. напр. | 2…3,6 В |
| Тип памяти | FRAM |
| Data retention years | 151 years |
| Standby current type | typ |
| Active current condition | at 1 MHz |
Заметили ошибку в описании или параметрах?