Документация
Микросхема FM24CL16B-GTR
У поставщика
У поставщиков
6 616 шт.
Норм. уп.: 10
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,45 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:10 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 260
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,45 |
Склад 14
В наличии:6 512 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 2 500 | 119,80 |
Склад 12
В наличии:94 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 94,19 |
| от 10 | 86,30 |
Описание
Микросхема FM24CL16B-GTR от CYPRESS — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM). Работает при напряжении от 2,7 до 3,65 В, использует двухпроводный интерфейс I2C и выпускается в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Подходит для промышленной автоматики и систем, требующих быстрого и надёжного хранения данных.
Технические характеристики
| Тип | М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B |
| Вес | 0.47 |
| В упаковке | REEL, 2500 шт. |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Корпус | 8-pin SOIC |
| Особенности | NoDelay writes, High endurance, Low power, Hardware drop-in replacement for serial I2C EEPROM |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOIC-8 (SMD) |
| Интерфейс | I2C |
| Рабочая температура | -40…+85 °С |
| Технология | Ferroelectric (F-RAM) |
| Объем памяти | 16-Kbit (2K x 8) |
| Макс. напряжение | 3.65 V |
| Напряжение мин. | 2.7 V |
| Корпус | SO8 |
| Макс. частота | 1 MHz |
| Package pitch | 1.27 mm |
| Write protect | Yes, via WP pin |
| Сохранение данных | 151 years |
| Io capacitance | 10 pF |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. температура | +85 °C |
| Температура мин. | -40 °C |
| Write endurance | 100 trillion (10^14) cycles |
| Диап. вх. напр. | 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В |
| Вх. емкость | 7 pF |
| Power up time max | 1.5 ms |
| Internal pull down | Yes, on WP pin |
| Размеры упаковки | 4.90 mm x 3.90 mm x 1.75 mm |
| Power off time min | 1 ms |
| Интерфейс | I2C |
| Standby current typ | 3 µA |
| Тип памяти | FRAM |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.3 × VDD |
| Тепловое сопротивление JA | 160 °C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 30 °C/W |
| Вх. выс. напр. мин. | 0.7 × VDD |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4 V |
| Active current 1MHz max | 800 µA |
| Active current 1MHz typ | 500 µA |
| Standby current max 25C | 7 µA |
| Standby current max 85C | 15 µA |
| Active current 100kHz max | 200 µA |
| Active current 100kHz typ | 100 µA |
| Active current 400kHz max | 400 µA |
| Active current 400kHz typ | 200 µA |
| Output low voltage condition | IOL = 3 mA |
| Емкость памяти, кБит | 16 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?