Документация
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4Мбит 55нс 44TSOP
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
160 шт.
Норм. уп.: 135
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:160 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 135
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 511,34 |
| от 4 | 1 447,00 |
| от 7 | 1 395,93 |
| от 14 | 1 351,00 |
| от 28 | 1 320,64 |
Описание
Infineon FM22L16-55-TG — это сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) объемом 4 Мбит. Микросхема работает со временем доступа 55 нс и выпускается в корпусе TSOP44. FRAM обеспечивает высокую скорость записи и низкое энергопотребление. Применяется в промышленной автоматике, системах сбора данных и устройствах, требующих надежного хранения параметров.
Технические характеристики
| Плотность | 4-Mbit |
| Корпус | 44-pin TSOP Type II (400-mil) |
| Тип монтажа | SMD |
| Ресурс | 100 trillion (10^14) read/writes |
| Интерфейс | SRAM compatible |
| Cycle time | 110ns |
| Access time | 55ns |
| Byte select | UB and LB |
| Тип памяти | F-RAM (Ferroelectric RAM) |
| Артикул | FM22L16-55-TG |
| Address pins | 18 (A0 to A17) |
| Организация | 256K x 16 |
| Memory blocks | 8 uniform blocks of 32K x 16 |
| Sleep current | 5uA max |
| Active current | 8mA typ |
| Data bus width | 16 bits |
| Сохранение данных | 151 years |
| Соотв. RoHS | Да |
| Напряжение питания | 2.7V to 3.6V |
| Ток в режиме ожидания | 90uA typ |
| Write protection | Software-programmable block write-protect |
| Low voltage monitor | Blocks access below VDD min |
| Page mode cycle time | 25ns |
| Тип упаковки | Palette (палетта) |
| Configurable organization | 512K x 8 using UB and LB |
| Диап. раб. темп. | -40C to +85C |
| Описание (англ.) | FRAM 4MBIT 55NS 44TSOP |
Заметили ошибку в описании или параметрах?