Документация
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
92 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:92 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 403,65 |
| от 5 | 381,92 |
| от 50 | 349,15 |
Описание
Транзистор FGH40N60UFDTU от ON Semiconductor — мощный IGBT с технологией Field Stop в корпусе TO-247 для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение до 600 В, рассеивает до 290 Вт и отличается быстрым переключением (время нарастания 44 нс, спада 130 нс). Применяется в промышленной автоматике, силовых преобразователях и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| IGBT Type | Field Stop |
| Время спада | 130ns |
| Время нарастания | 44ns |
| Input Type | стандартный |
| Технология | Field Stop IGBT |
| Gate Charge | 120 nC |
| Power - Max | 290 W |
| Артикул | FGH40N60UFDTU |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Метод упаковки | трубка |
| Switching Energy | 1.19mJ (on), 460µJ (off) |
| Описание | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247 |
| Вх. емкость | 2110pF |
| Quantity per tube | 30 |
| Полный заряд затвора | 120nC |
| Выходная емкость | 200pF |
| Время задержки включения | 24ns |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/112ns |
| Gate emitter charge | 14nC |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 112ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Gate leakage current | ±400nA |
| Total switching loss | 1.65mJ |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Gate collector charge | 58nC |
| Мощн. рас. 25°C | 290W |
| Power dissipation 100c | 116W |
| Turn on switching loss | 1.19mJ |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Turn off switching loss | 0.46mJ |
| Pulsed collector current | 120A |
| Ток отсечки коллектора | 250µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Напр. диода макс. | 2.6V |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.95V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.0V |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45 ns |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 45ns |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Continuous collector current 25c | 80A |
| Diode reverse recovery time 125c | 140ns |
| Continuous collector current 100c | 40A |
| Diode reverse recovery charge 25c | 75nC |
| Diode reverse recovery charge 125c | 375nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40 °C/W |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.43 °C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 1.45 °C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.4V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.8V |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.6 V/°C |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?